[发明专利]向衬底涂敷流体

说明书

技术领域

本申请涉及与向衬底涂敷流体相关的装置、方法和技术。

背景技术

在各种工业应用中，流体被涂敷到衬底。来自于半导体工业的一个示例是将胶水涂敷到半导体晶片（例如硅晶片），以用于在执行减薄工艺（如研磨或蚀刻工艺）之前将半导体晶片安装至载体（如玻璃载体）。

在这样的工艺中，必须尽可能均匀地执行晶片的减薄，即在减薄之后晶片的总厚度变化（TTV）保持于最小，例如在±3μm的限制内。胶水的不均匀涂敷可能贡献到总厚度变化。

在工业工艺中可以涂敷到衬底的其它流体包括酰亚胺、漆或者光刻胶。在这样的情况下，可能也希望例如以在所期望的限制内的厚度变化在衬底上均匀地涂敷流体。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种装置，包括：衬底保持器；流体涂敷设备，被配置用于向所述衬底保持器上的衬底涂敷流体；加热机构，被配置用于对所述流体进行局部加热；以及控制器，被配置用于控制所述加热机构应用局部加热，以便获得所述衬底上的所述流体的希望的厚度分布。

根据一种实施方式，所述流体包括胶水、酰亚胺、漆和光刻胶中的至少一个。

根据一种实施方式，所述流体的粘度依赖于温度。

根据一种实施方式，所述加热机构包括红外线灯。

根据一种实施方式，所述衬底保持器是可旋转的。

根据一种实施方式，所述流体涂敷设备被配置用于在所述衬底保持器旋转时涂敷所述流体。

根据一种实施方式，所述控制器被配置用于在所述衬底保持器旋转时控制所述加热机构对所述流体进行局部加热。

根据一种实施方式，还包括流体厚度测量设备，所述装置还被配置用于通过使用所述流体厚度测量设备进行的校准测量来确定局部加热模式。

根据一种实施方式，所述衬底保持器被配置用于接收半导体衬底。

根据一种实施方式，所述局部加热局部地将所示流体的特性从基本上非牛顿特性改变为基本上牛顿特性。

根据本公开的另一方面，提供一种方法，包括：向衬底涂敷流体；在所述衬底上分散所述流体；并且向所述流体应用预定的局部加热以获得希望的厚度分布。

根据一种实施方式，分散所述流体包括旋转所述衬底。

根据一种实施方式，所述希望的厚度分布在预定的容差内是平坦分布。

根据一种实施方式，所述流体包括胶水，所述方法还包括使用所述胶水将所述衬底安装到载体。

根据一种实施方式，所述衬底是半导体衬底。

根据一种实施方式，所述预定的局部加热由校准来确定。

根据一种实施方式，应用所述预定的局部加热包括对所述衬底进行局部加热。

根据本发明的又一方面，提供一种方法，包括：向衬底涂敷流体；在所述衬底之上分散所述流体；测量所述衬底之上的所述流体的流体厚度；并且调节对所述衬底的局部加热以获得所述流体的希望的厚度分布。

根据一种实施方式，重复所述调节和所述测量，直至所述流体厚度匹配所述希望的厚度分布。

根据一种实施方式，还包括基于所述调节来存储局部加热模式。

根据一种实施方式，所述流体在环境温度下表现出基本上非牛顿特性。

根据一种实施方式，所述流体包括胶水、酰亚胺、漆和光刻胶中的至少一个。

根据一种实施方式，所述局部加热包括利用红外线辐射来辐射所述流体。

根据一种实施方式，所述局部加热包括电加热所述流体。

附图说明

将参考附图描述说明性实施例，其中：

图1示意性示出用于其中可以应用根据各个实施例的技术、装置、方法等的应用的示例；

图2示意性图示根据一个实施例的流体涂敷装置；

图3示出用于图示一些实施例的一些特征的示例测量结果，图3包括图3a和图3b；

图4图示根据一个实施例的方法；并且

图5图示根据一个实施例的服务器方法。

在下文中，将参考附图描述各个实施例。这些实施例仅用作实施方式示例并且并不解释为限制。例如，与所描述的和在附图中所示的实施例相比，其它实施方式示例可以包括更少特征、更多特征、备选特征等。此外，来自不同实施例的特征可以相互组合以形成其它实施例，除非另有指明。

具体实施方式