[发明专利]具有非易失性存储器的集成电路系统及其制造方法

权利要求书

1.一种制造集成电路系统的方法，包括：

提供具有地址开关的集成电路管芯；

形成惰性的底部电极触点，所述底部电极触点至少具有氮化钛材料并且耦合到所述地址开关，其中使用前体通过化学气相沉积或原子层沉积过程形成所述底部电极触点，并且所述底部电极触点没有卤素成分；

直接在底部电极触点上沉积过渡材料层，所述过渡材料层包括具有离子导电固态电解质性质的介电材料或金属氧化物材料中的至少一种；及

直接在过渡材料层上沉积顶部电极触点，用于在集成电路管芯上形成非易失性存储器阵列，

其中所述底部电极触点包括多个层，每个层都具有规定的原子组成，该规定的原子组成包括氮化钛、氮化硅钛、钨或者其组合。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成底部电极触点包括利用硅灌注底部电极触点。

3.如权利要求1所述的方法，其中形成底部电极触点包括用四-二甲氨基钛或(三甲基)五甲基环戊二烯基钛的前体形成底部电极触点。

4.如权利要求1所述的方法，其中形成底部电极触点包括形成含有钨且不合氟的底部电极触点。

5.如权利要求1所述的方法，其中形成底部电极触点包括以有机金属化合物作为前体利用化学气相沉积或原子层沉积过程形成底部电极触点。

6.一种存储器，包括：

惰性的底部电极触点，所述底部电极触点至少包括氮化钛材料并且耦合到地址开关，其中使用前体通过化学气相沉积或原子层沉积过程形成所述底部电极触点，并且所述底部电极触点没有卤素成分；

在底部电极触点上的过渡材料层，所述过渡材料层包括具有离子导电固态电解质性质的介电材料或金属氧化物材料中的至少一种；及

在集成电路管芯上方，在所述过渡材料层上的顶部电极触点，

其中所述底部电极触点包括多个层，每个层都具有规定的原子组成，该规定的原子组成包括氮化钛、氮化硅钛、钨或者其组合。

7.如权利要求6所述的存储器，其中所述底部电极触点具有在一百微欧姆厘米至1欧姆厘米之间的电阻率。

8.如权利要求6所述的存储器，还包括：

集成电路管芯的平面衬底；及

其中：

所述底部电极触点在该平面衬底上。

9.如权利要求6所述的存储器，还包括：

集成电路管芯的宽度小于一百纳米的窄沟槽；及

其中：

所述底部电极触点在该窄沟槽中。

10.如权利要求6所述的存储器，其中所述底部电极触点具有非晶结构或金属玻璃结构。

11.如权利要求6所述的存储器，还包括：

集成电路管芯的直径小于一百纳米的触点孔通孔；及

其中：

所述底部电极触点在该触点孔通孔中。

12.一种集成电路系统，包括：

具有地址开关的集成电路管芯；

惰性的底部电极触点，所述底部电极触点至少具有氮化钛材料并且耦合到所述地址开关，其中使用前体通过化学气相沉积或原子层沉积形成所述底部电极触点，并且所述底部电极触点没有卤素成分；

直接在底部电极触点上的过渡材料层，所述过渡材料层包括具有离子导电固态电解质性质的介电材料或金属氧化物材料中的至少一种；及

直接在过渡材料层上的顶部电极触点，用于在集成电路管芯上形成非易失性存储器阵列，

其中所述底部电极触点包括多个层，每个层都具有规定的原子组成，该规定的原子组成包括氮化钛、氮化硅钛、钨或者其组合。

13.如权利要求12所述的系统，还包括在底部电极触点中的氮化硅钛，其具有化学气相沉积或原子层沉积的特性。

14.如权利要求12所述的系统，还包括在底部电极触点中的没有卤素成分的钨，其具有化学气相沉积或原子层沉积的特性。

15.如权利要求12所述的系统，其中底部电极触点具有用于确定底部电极触点的电阻率的预定触点深度。

16.如权利要求12所述的系统，其中底部电极触点具有一百微欧姆厘米至1欧姆厘米之间的电阻率。

17.如权利要求12所述的系统，其中顶部电极触点在集成电路管芯上方。