[发明专利]光学临近修正方法在审

专利信息
申请号: 201410141022.X 申请日: 2014-04-09
公开(公告)号: CN103869600A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 胡红梅 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: G03F1/36 分类号: G03F1/36
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;林彦之
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 光学 临近 修正 方法
【权利要求书】:

1.一种光学临近修正方法,其特征在于,包括:

对掩模版图形的所有区域进行初次光学临近修正;

根据所述初次光学临近修正中使用的修正模型,对所述掩模版图形中修正精确度要求较高的局部区域进行再次光学临近修正。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对掩模版图形的所有区域进行初次光学临近修正包括下述任一或多种的组合:基于规则的光学临近修正、基于模型的光学临近修正以及辅助图形的添加。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述初次光学临近修正中使用的修正模型,对所述掩模版图形中修正精确度要求较高的局部区域进行再次光学临近修正包括:

使用所述初次光学临近修正中使用的修正模型,对所述掩模版图形中修正精确度要求较高的局部区域进行修正后仿真;

根据修正后仿真的结果,对所述掩模版图形中修正精确度要求较高局部区域进行再次光学临近修正。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,对所述掩模版图形中修正精确度要求较高的局部区域进行再次光学临近修正时设定仿真参数,包括设定修正权重、图形的仿真线宽与目标线宽之间所容许差异,以及所述修正权重与所述所容许差异之间的对应关系。

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据修正后仿真的结果,对所述掩模版图形中修正精确度要求较高局部区域的图形进行再次光学临近修正包括:

计算所述掩模版图形中修正精确度要求较高局部区域的掩模版误差因子;

根据计算出的掩模版误差因子与设定的掩模版误差因子阈值,标记所述掩模版图形中需要再次光学临近修正的图形;

对标记出的所述掩模版图形中需要再次光学临近修正的图形进行再次光学临近修正。

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述标记所述掩模版图形中需要再次光学临近修正的图形包括:将计算出的掩模版误差因子大于设定的掩模版误差因子阈值对应的图形,标记为所述掩模版图形中需要再次光学临近修正的图形。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述将计算出的掩模版误差因子大于设定的掩模版误差因子阈值对应的图形,标记为所述掩模版图形中需要再次光学临近修正的图形包括:将计算出的掩模版误差因子超过设定的掩模版误差因子阈值对应的图形设为原点,将设定半径范围内的图形标记为所述掩模版图形中需要再次光学临近修正的图形。

8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述对标记出的所述掩模版图形中需要再次光学临近修正的图形进行再次光学临近修正包括:

根据设定的再次修正额定次数,对标记出的所述掩模版图形中需要再次光学临近修正的图形进行再次光学临近修正。

9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述对标记出的所述掩模版图形中需要再次光学临近修正的图形进行再次光学临近修正包括:如果再次修正实时次数小于所述设定的再次修正额定次数,继续对标记出的所述掩模版图形中需要再次光学临近修正的图形进行再次光学临近修正。

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