[发明专利]光学临近修正方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体地说，涉及一种光学临近修正方法。

背景技术

光刻工艺（photolithography）是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所衬底上。

光刻工艺大致处理过程为：首先在掩模版上获得特定的图形结构（如电学电路），然后通过光学光刻设备将掩模版上的图形复制到硅片上。然而，通过光学光刻产生图形的过程会产生或多或少的失真，尤其是随着线宽的不断缩小，失真也愈加严重。典型地，如拐角变圆（Corner Rounding）或线端缩短（Line End Shortening）等现象。导致上述这些现象的原因是由于光学邻近效应（Optical Proximity Effect，简称OPE），光学邻近效应OPE是由光学成像系统的非线性滤波所造成的。

由此，业界通过光学临近修正（Optical Proximity Correction，简称OPC）技术来解决上述问题，在光学临近修正（OPC）技术中，通过对集成电路掩模版上的图形预先进行修正，以补偿光刻过程所造成的失真，从而使经过修正后的图形经光刻后能够获得预先设计的图形结构。摩尔定律的延伸要求光刻线宽不断缩小，由此带来的光学临近效应也越发显著。作为一种可制造化设计（Design For Manufacturing）手段，光学临近修正技术（Optical Proximity Correction）已经成为维持线宽不断缩微所不可缺少的手段。同时，小线宽时的掩模版误差因子（Mask Error Factor，MEF）的明显增大对光学临近修正技术OPC技术的精度提出了非常高的要求，以确保光刻后硅片上的图形与设计图形的一致性。

根据线宽分辨率公式R＝k1λ/NA,式中λ是波长，NA是成像系统的数值孔径，k1取决于照明系统的结构和光刻胶的光学响应等因素。减小k1可以获得更高的线宽分辨率。然而，由此也会导致掩模版误差因子MEF提高，尤其是当线宽达到40nm及以下时，掩模版误差因子MEF会显著升高。如：20nm技术节点时，掩模版制版最高等级的线宽变化容忍值（critical dimension tolerance，CD Tolerance）为±7nm，MEF值为4时，当掩模版上图形线宽变化7nm时，对应硅片上的线宽变化也达到7nm；同理，MEF值为4时，如OPC修正的线宽变化为1nm时，经曝光后硅片上的线宽变化高达4nm，因此当MEF随线宽缩小而增加时，对光学临近修正OPC的修正的精度和精确性提出了更高的要求。

由此可见，对于MEF值过高的图形，如果修正精确性不够，往往会导致硅片上的线宽出现巨大波动，同时，OPC的修正的精度和精确性亟待进一步提高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种光学临近修正方法，用以解决现有技术中对于MEF值过高的图形在修正精确性不够的情况下硅片上的线宽出现巨大波动的问题，从而提高光学临近修正OPC的修正精度和精确性。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种光学临近修正方法，其包括：

对掩模版图形的所有区域进行初次光学临近修正；

根据所述初次光学临近修正中使用的修正模型，对所述掩模版图形中修正精确度要求较高的局部区域进行再次光学临近修正。

优选地，在本发明一实施例中，对掩模版图形的所有区域进行初次光学临近修正包括下述任一或多种的组合：基于规则的光学临近修正、基于模型的光学临近修正以及辅助图形的添加。

优选地，在本发明一实施例中，所述根据所述初次光学临近修正中使用的修正模型，对所述掩模版图形中修正精确度要求较高的局部区域进行再次光学临近修正包括：

使用所述初次光学临近修正中使用的修正模型，对所述掩模版图形中修正精确度要求较高的局部区域进行修正后仿真；

根据修正后仿真的结果，对所述掩模版图形中修正精确度要求较高局部区域进行再次光学临近修正。

优选地，在本发明一实施例中，对所述掩模版图形中修正精确度要求较高的局部区域进行再次光学临近修正时设定修正参数，包括设定修正权重、图形的仿真线宽与目标线宽之间所容许差异，以及所述修正权重与所述所容许差异之间的对应关系。

优选地，在本发明一实施例中，所述根据修正后仿真的结果，对所述掩模版图形中修正精确度要求较高局部区域的各图形进行再次光学临近修正，包括：

计算所述掩模版图形中修正精确度要求较高局部区域的掩模版误差因子；