[发明专利]一种ECR电子照射密度控制碳膜中纳晶石墨烯尺寸的方法有效
| 申请号： | 201410142670.7 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103938170A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 刁东风;陈成;郭美玲;范雪 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/30;C23C14/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ecr 电子 照射 密度 控制 碳膜中纳 晶石 尺寸 方法 | ||
1.一种ECR电子照射密度控制碳膜中纳晶石墨烯尺寸的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）首先，将p型Si（100）基片在丙酮与乙醇混合溶剂中超声波清洗，并自然晾干后装入真空腔中；经过机械泵和分子泵的二级抽真空，当系统真空度达到2×10-4～4×10-4Pa时，通入氩气，并使气压稳定在2×10-2～6×10-2Pa；然后，施加磁线圈电流产生磁场，并导入微波与磁场耦合产生等离子体环境，并稳定10～30分钟；
2）镀膜前，使用氩离子对经过步骤1）处理的p型Si（100）基片表面进行清洗；然后接通靶材溅射偏压，使靶材中的碳原子在Si（100）基片表面沉积形成碳膜；与此同时接通基片电源，施加基片偏压，轰击基片表面形成电子照射；通过调节微波功率在160～400W范围内变化，可实现电子照射密度在30～120mA/cm2范围内变化。
2.根据权利要求1所述的ECR电子照射密度控制碳膜中纳晶石墨烯尺寸的方法，其特征在于：所述的步骤1）中，磁线圈电流为350～450A。
3.根据权利要求1所述的ECR电子照射密度控制碳膜中纳晶石墨烯尺寸的方法，其特征在于：所述的步骤2）中，靶材溅射偏压为-300～-200V。
4.根据权利要求1所述的ECR电子照射密度控制碳膜中纳晶石墨烯尺寸的方法，其特征在于：所述的步骤2）中，基片偏压为+50～+100V。
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