[发明专利]一种小叶矮生型广玉兰的嫩茎段离体培养方法

权利要求书

1.一种小叶矮生型广玉兰的嫩茎段离体培养方法，其特征在于，包括以下歩骤：

1)、拟接种材料的选择与预处理：选取当年萌发的半木质化新枝，剪去已展平的叶片，用洗衣粉冲洗三遍，置于自来水龙头下冲洗3h；

2)、外植体的消毒:在超净台上，先用75％(vol)乙醇溶液消毒1～2min，然后用0.2％(vol)的新洁尔敏溶液消毒15min，最后用10％(vol)次氯酸钠溶液消毒15～20min，用无菌水冲洗三遍后无菌滤纸吸干水份；

3)、无菌系的建立：在超净台上将嫩枝切成1.3～2.0cm长的茎段，每个茎段带1～2个茎节，切除切口处因消毒而坏死的组织，将外植体培养于第一培养基进行新芽的诱导培养，培育成无菌系；用于建立无菌系的第一培养基的配方为：MS+0.5～1mg/L ZT+1.0～2.0mg/L BA+0.05～0.1mg/L NAA+蔗糖30g/L+琼脂粉5.5～6.5g/L，pH值为5.6～5.8；

4)、丛生芽的诱导及增殖：待茎段新芽伸长至1cm以上时，将新芽切下接种至第二培养基上诱导丛生芽，并在该培养基上进行丛生芽的增殖；第二培养基的配方为：MS+2～3mg/L KT+0.2～0.3mg/L NAA+蔗糖30g/L+琼脂粉5.5～6.5g/L，pH值为5.6～5.8；

5)、将丛生芽在靠近试管苗最下面的叶片着生处下面0.3～0.4mm处切成单芽，切口为每个单芽最下面的叶片着生处下面0.3mm～0.4mm处，并将单芽接种于第三培养基进行壮苗生根培养；用于试管苗壮苗与生根的第三培养基的配方为：1/2MS+0.5～1.0mg/L IBA+0.5～1g/L AC+蔗糖20g/L+琼脂粉5.5～6.5g/L，pH值为5.6～5.8；

6)、试管苗的炼苗与移栽：将生根的试管苗移栽至泥炭和珍珠岩混合的基质中，浇足水后用塑料薄膜覆盖保温保湿防失水萎蔫，7天后揭开薄膜炼苗，每天叶面喷水3～5次，15～20天后施肥料液；30～35天后移栽至灌满纯泥炭的塑料穴盘中，经3～4个月培养后直接移栽至土壤或大的容器中。

2.根据权利要求1所述的小叶矮生型广玉兰的嫩茎段离体培养方法，其特征在于，所述步骤3)中无菌系的建立、所述步骤4)中丛生芽的诱导与增殖、以及所述步骤5)中壮苗与生根培养，均在如下条件下进行：温度24～26℃、光照强度3000LX，光照时间为10～12h/d。

3.根据权利要求1所述的小叶矮生型广玉兰的嫩茎段离体培养方法，其特征在于，所述的步骤6)的基质中泥炭和珍珠岩的重量比为4:1～3：1。

4.根据权利要求1所述的小叶矮生型广玉兰的嫩茎段离体培养方法，其特征在于，所述步骤6)的肥料液中含有0.1～0.2wt％硝酸铵、0.1～0.2wt％磷酸二氢钾、0.1～0.2wt％硫酸镁。