[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

至少一个有源鳍，从衬底突出；

第一栅电极，交叉所述有源鳍；

第一杂质区，形成在位于所述第一栅电极的第一侧的所述有源鳍上，所述第一杂质区的至少一部分形成在所述有源鳍上的第一外延层部分中；以及

第二杂质区，形成在位于所述第一栅电极的第二侧的所述有源鳍上，所述第二杂质区在所述有源鳍的纵向方向上具有比所述第一杂质区大的宽度，所述第二杂质区包括第一部分和第二部分，所述第一部分形成在第二外延层部分中，所述第二部分没有形成在外延层中，

其中所述第一部分的上表面和所述第二部分的上表面共面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二杂质区具有与所述有源鳍的被所述栅电极交叉的部分的顶表面处于相同高度的顶表面。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一接触，电连接到所述第一杂质区；以及

第二接触，电连接到所述第二杂质区的相对于所述第一栅电极的远端部。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一杂质区的顶表面高于所述有源鳍的被所述栅电极交叉的所述部分的顶表面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二栅电极，交叉所述有源鳍；

第三杂质区，形成在位于所述第二栅电极的第一侧的所述有源鳍上；以及其中

所述第一杂质区形成在位于所述第二栅电极的第二侧的所述有源鳍上。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二栅电极，交叉所述有源鳍；

第三杂质区，形成在位于所述第二栅电极的第一侧和所述第一栅电极的所述第二侧的所述有源鳍上；以及其中

所述第二杂质区形成在位于所述第二栅电极的第二侧的所述有源鳍上。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，还包括：

导体，电连接所述第二杂质区和所述第三杂质区。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一部分是所述第二杂质区的相对于所述第一栅电极的远端部。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：

第一接触，电连接到所述第一杂质区；以及

第二接触，电连接到所述第二杂质区的所述第一部分。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一部分的顶表面高于被所述第一栅电极交叉的所述有源鳍的顶表面。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一杂质区的顶表面高于被所述第一栅电极交叉的所述有源鳍的顶表面。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一杂质区的顶表面和所述第一部分的顶表面处于相同的高度。

13.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二杂质区包括第三部分，所述第三部分处于所述第二杂质区相对于所述第一栅电极的近端部，所述第三部分形成在所述有源鳍上的第三外延层部分中。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述第一部分的顶表面和所述第三部分的顶表面处于相同的高度。

15.根据权利要求13所述的半导体器件，其中所述第一部分的顶表面高于被所述第一栅电极交叉的所述有源鳍的顶表面，所述第三部分的顶表面高于被所述第一栅电极交叉的所述有源鳍的顶表面。

16.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：

蚀刻停止层，形成在所述第二部分上。