[发明专利]一种掩模板有效
申请号: | 201410145265.0 | 申请日: | 2014-04-11 |
公开(公告)号: | CN103941540B | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 金基用;孙增标;王涛;许朝钦 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/40 | 分类号: | G03F1/40 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 模板 | ||
1.一种掩模板,其特征在于,包括:衬底和所述衬底上的透光区域和遮光区域,所述遮光区域设置有至少两个分别具有设定掩模图形且可导电的遮光层,
其中,所述遮光层至少包括第一遮光层和除所述第一遮光层之外的其它遮光层,所述第一遮光层为梳状结构,所述其它遮光层中的每一个遮光层均为条状结构,且所述其它遮光层与所述第一遮光层中的梳齿状结构间隔排列;
还包括:一个或多个分别用于电连接至少两个所述遮光层的连接线,所述连接线的宽度为0.3~1.5μm。
2.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述连接线的宽度为0.5~1μm。
3.根据权利要求2所述的掩模板,其特征在于,所述连接线的宽度为0.8μm。
4.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述连接线与所述遮光层同层设置且制作材料相同。
5.根据权利要求4所述的掩模板,其特征在于,所述遮光层和所述连接线为铬金属层。
6.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,还包括设置于所述掩模板上的接地母线,所述各连接线与所述接地母线电连接,所述接地母线的宽度为0.3~1.5μm。
7.根据权利要求1~6任一所述的掩模板,其特征在于,还包括:位于所述衬底的出光侧设置于各遮光层上折射率大于1的防衍射膜层,所述遮光层上的防衍射膜层的图案与所述遮光层对应的设定掩模图形相同,所述遮光层与所述防衍射膜层叠层式设置。
8.根据权利要求7所述的掩模板,其特征在于,所述防衍射膜层为三氧化二铬膜层。
9.根据权利要求1所述的掩模板,其特征在于,还包括:位于所述遮光层与所述衬底之间且位于至少与所述遮光层对应区域的缓冲层。
10.根据权利要求9所述的掩模板,其特征在于,所述缓冲层为氮化铬膜层。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备