[发明专利]一种圆环杆与平板连杆的二维正方晶格光子晶体有效

专利信息
申请号: 201410145359.8 申请日: 2014-04-11
公开(公告)号: CN103901536A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 欧阳征标;王晶晶 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人: 胡吉科
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 圆环 平板 连杆 二维 正方 晶格 光子 晶体
【权利要求书】:

1.一种圆环杆与平板连杆的二维正方晶格光子晶体,其特征在于:所述的光子晶体包括高折射率介质柱和低折射率背景介质柱;所述的光子晶体结构由元胞按正方晶格排列而成;所述的高折射率介质柱由平板介质柱与圆环介质柱连接构成;所述的平板介质柱的宽度D为0.01a~0.2a,所述的圆环柱的外径R为0.1a~0.5a,所述的圆环柱的内外径之差与圆环外径的比值T为0.01~0.99。 

2.按照权利要求1所述的圆环杆与平板连杆的二维正方晶格光子晶体,其特征在于:所述元胞的左平板连接杆的最左端到右平板连接杆的最右端的距离为a;所述元胞的下平板连接杆的最底端到上平板连接杆的最顶端的距离为a。 

3.按照权利要求1所述的圆环杆与平板连杆的二维正方晶格光子晶体,其特征在于:所述的高折射率介质为硅、砷化镓、二氧化钛或者折射率大于2的高折射率介质。 

4.按照权利要求3所述的圆环杆与平板连杆的二维正方晶格光子晶体,其特征在于:所述的高折射率介质为硅,其折射率为3.4。 

5.按照权利要求1所述的圆环杆与平板连杆的二维正方晶格光子晶体,其特征在于:所述的低折射率背景介质为空气、氟化镁、二氧化硅或者低折射率介质。 

6.按照权利要求5所述的圆环杆与平板连杆的二维正方晶格光子晶体,其特征在于:所述的低折射率背景介质为空气。 

7.按照权利要求1所述的圆环杆与平板连杆的二维正方晶格光子晶体,其特征在于,设置0.029a≤D≤0.124a,0.26a≤R≤0.38a,0.206 ≤T≤0.99,所述光子晶体结构的绝对禁带相对值大于5%。 

8.按照权利要求1所述的圆环杆与平板连杆的二维正方晶格光子晶体,其特征在于,设置0.029a≤D≤0.086a,0.26a≤R≤0.38a,0.304≤T≤0.99,所述光子晶体结构的绝对禁带相对值大于10%。 

9.按照权利要求1所述的圆环杆与平板连杆的二维正方晶格光子晶体,其特征在于,设置0.0385a≤D≤0.05275a,0.28a≤R≤0.34a,0.4755≤T≤0.99,所述光子晶体结构的绝对禁带相对值大于15%。 

10.按照权利要求1所述的圆环杆与平板连杆的二维正方晶格光子晶体,其特征在于,设置D为0.049a,R为0.296a,T为0.838,绝对禁带宽度相对值为19.026%。 

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