[发明专利]一种超势垒整流器器件结构

权利要求书

1.一种超势垒整流器器件结构，其特征在于，所述超势垒整流器器件结构采用沟槽型MOS结构作为场终止结构，所述沟槽型MOS结构包括沟槽、结合于所述沟槽表面的介质层、以及填充于沟槽内的多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的超势垒整流器器件结构，其特征在于：所述沟槽为U型沟槽，所述介质层为二氧化硅层。

3.根据权利要求1所述的超势垒整流器器件结构，其特征在于：所述超势垒整流器器件结构包括：

第一导电类型衬底；结合于所述第一导电类型衬底表面的第一导电类型外延层；结合于所述第一导电类型外延层表面的栅介质层；结合于所述栅介质层表面的电极材料；以及上电极；

所述第一导电类型外延层表层形成有若干个间隔排列的第二导电类型掺杂区以及形成于各所述第二导电类型体区内的第一导电类型掺杂区；所述第二导电类型掺杂区及第一导电类型掺杂区通过接触孔与所述上电极相连；

所述若干个间隔排列的第二导电类型掺杂区外侧的第一导电类型外延层中形成有沟槽型MOS结构，所述沟槽型MOS结构包括沟槽、结合于所述沟槽表面的介质层以及填充于沟槽内的多晶硅层，所述多晶硅层与所述上电极相连。

4.根据权利要求3所述的超势垒整流器器件结构，其特征在于：所述槽型MOS结构的深度大于所述第二导电类型掺杂区的深度。

5.根据权利要求3所述的超势垒整流器器件结构，其特征在于：所述第二导电类型掺杂区及第一导电类型掺杂区的数量至少为3个。

6.根据权利要求3所述的超势垒整流器器件结构，其特征在于：还包括结合于所述第一导电类型衬底背面的下电极。

7.根据权利要求3所述的超势垒整流器器件结构，其特征在于：所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

8.根据权利要求7所述的超势垒整流器器件结构，其特征在于：所述第一导电类型衬底为N+型衬底，所述第一导电类型外延层为N-型外延层，所述第二导电类型掺杂区为P型掺杂区，所述第一导电类型掺杂区为N+型掺杂区。

9.根据权利要求3所述的超势垒整流器器件结构，其特征在于：所述第一导电类型衬底及第一导电类型外延层的材料为硅。