[发明专利]基板贴合工艺以及待贴合基板组件有效
申请号: | 201410149136.9 | 申请日: | 2014-04-14 |
公开(公告)号: | CN103955085B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 肖昂;宋省勋;陈旭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1333 | 分类号: | G02F1/1333;G02F1/1339 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 贴合 工艺 以及 组件 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种基板贴合工艺以及待贴合基板组件。
背景技术
现有液晶显示面板制作过程中需要将阵列基板(TFT)和彩膜基板(CF)通过封框胶粘接在一起。按照封框胶涂覆位置的不同,封框胶分为密封盒内液晶的主封框胶和保持基板间隙稳定的基板外围封框胶。如图1所示,现有技术的基板贴合工艺中,通常在第一基板50的表面设置基板外围封框胶形成的外围胶框51,在外围胶框51的内部设置主封框胶形成的成盒胶框52;使第一基板51与第二基板60相对,在对盒时先进行抽真空,然后第一基板50(彩膜基板)下压直至两基板完全贴合,最后释放大气,完成对盒工艺。
因为在第一基板51与第二基板60贴合过程中,主封框胶和基板外围封框胶同时接触另一基板(阵列基板)。对盒完成后,盒内以及主封框胶和基板外围封框胶之间均保持真空状态。释放大气时,成盒胶框52内侧的液晶70向成盒胶框52外侧迅速扩散并与成盒胶框52接触,而成盒胶框52外侧为真空,这样导致盒内压强大于成盒胶框52外侧的压强,由此加重液晶对成盒胶框52的冲击,很容易造成穿刺现象,尤其对于成盒胶框宽度较细窄的窄边框液晶面板(此时主封框胶未进行固化极易受到冲击变形而造成穿刺)。
现有的解决上述问题方法是在外围胶框51上开口,让气体进入成盒胶框52和外围胶框51之间,防止由于成盒胶框内外压强差而造成的液晶对成盒胶框的穿刺。但是这种做法的缺点在于:在外围胶框开口会导致在后续减薄工艺时酸液进入成盒胶框与外围胶框之间,腐蚀电路金属线以及元器件开关,造成不必要的损失。
发明内容
本发明的目的在于提供一种有效避免腐蚀电路金属线以及元器件开关,同时防止由于主封框胶内外压强差而造成的液晶对主封框胶的穿刺的基板贴合工艺以及待贴合基板组件。
本发明的基板贴合工艺,包括:
在第一基板的表面设置外围胶框,在所述外围胶框的内部设置成盒胶框,所述成盒胶框的高度大于外围胶框的高度;
使所述第一基板与第二基板相对,所述第一基板的设置有外围胶框以及成盒胶框的一面与所述第二基板相对;
排除第一基板与第二基板之间的气体;
使所述第一基板与所述第二基板初步贴合,所述成盒胶框与所述第二基板接触,所述外围胶框与所述第二基板之间留有空隙;
向所述第一基板与所述第二基板之间充入气体;
使所述第一基板与所述第二基板进一步贴合,所述外围胶框与所述第二基板紧密贴合。
本发明的基板贴合工艺,其中,所述第一基板为彩膜基板,所述第二基板为阵列基板;或
所述第一基板为阵列基板,所述第二基板为彩膜基板。
本发明的基板贴合工艺,其中,在第一基板的表面设置外围胶框之前,在
所述第一基板的表面设置沿所述第一基板的周向延伸的环形凹槽,然后在
所述凹槽内设置所述外围胶框。
本发明的基板贴合工艺,包括:
在第一基板的表面的中部设置成盒胶框,在第二基板的表面的边缘设置外围胶框,所述成盒胶框的高度大于外围胶框的高度;
使所述第一基板与所述第二基板相对,所述第一基板的设置有成盒胶框的一面与所述第二基板的设置有外围胶框的一面相对;
排除所述第一基板与所述第二基板之间的气体;
使所述第一基板与所述第二基板初步贴合,所述成盒胶框与所述第二基板接触,所述外围胶框所述第一基板之间留有空隙;
向所述第一基板与所述第二基板之间充入气体;
使所述第一基板与所述第二基板进一步贴合,所述外围胶框与所述第一基板紧密贴合。
本发明的基板贴合工艺,其中,所述第一基板为彩膜基板,所述第二基板为阵列基板;或
所述第一基板为阵列基板,所述第二基板为彩膜基板。
本发明的待贴合基板组件,包括基板,所述基板的表面设置有外围封框胶形成的外围胶框,所述外围胶框的内部设置有主封框胶形成的成盒胶框,所述成盒胶框的高度大于外围胶框的高度。
本发明的待贴合基板组件,其中,所述基板为阵列基板;或
所述基板为彩膜基板。
本发明的待贴合基板组件,其中,所述基板的表面设置有沿所述基板的周向延伸的环形凹槽,所述外围胶框设置于所述凹槽内。
本发明的待贴合基板组件,其中,所述外围胶框的高度为10~15微米,所述成盒胶框的高度为25~30微米,所述凹槽的深度为2~3微米。
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