[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的栅金属层和源漏金属层，其特征在于，所述栅金属层和/或所述源漏金属层的下面设置有栅底层保护层和/或源漏底层保护层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅金属层和/或所述源漏金属层的上面设置有栅顶层保护层和/或源漏顶层保护层。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅底层保护层、所述栅顶层保护层、所述源漏底层保护层以及所述源漏顶层保护层为单层或多层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅底层保护层包括：第一栅底层保护层、第二栅底层保护层以及第三栅底层保护层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，形成所述第一栅底层保护层的材料包括：氧化钛、硅钛合金；

形成所述第二栅底层保护层的材料包括：钛、硅钛合金以及钛和硅钛合金的叠层材料；

形成所述第三栅底层保护层的材料包括：钛铜合金；

形成所述栅金属层层的材料包括：铜以及铜合金。

6.根据权要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅底层保护层的厚度为0.5-20纳米；所述第二栅底层保护层的厚度为10-300纳米；所述第三栅底层保护层的厚度为0.5-20纳米。

7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅顶层保护层包括：第一栅顶层保护层以及第二栅顶层保护层。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，形成所述第一栅顶层保护层的材料包括：硅化铜、氮化铜、钛、硅化钛以及硅化铜、氮化铜、钛、硅化钛中任意两种或多种的叠层材料，以及钼、铝、铌三种金属的合金材料；

形成所述第二栅顶层保护层的材料包括：Mo-Si-N形成的复合材料、硅化钛、氮化钛。

9.根据权要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一栅顶层保护层的厚度为1-200纳米；所述第二栅顶层保护层的厚度为0.5-100纳米。

10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏底层保护层包括：第一源漏底层保护层、第二源漏底层保护层以及第三源漏底层保护层。

11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，形成所述第一源漏底层保护层的材料包括：镓钛合金、氧化钛、锌钛合金、铟钛合金、氧化铟钛、氧化锡钛、氧化锌钛以及镓钛合金、氧化钛、锌钛合金、铟钛合金、氧化铟钛、氧化锡钛、氧化锌钛中任意两种或多种的叠层材料；

形成所述第二源漏底层保护层的材料包括：钛及其合金；

形成所述第三源漏底层保护层的材料包括：钛铜合金；

形成所述源漏金属层的材料包括：铜或其合金。

12.根据权要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述第一源漏底层保护层的厚度为0.5-20纳米；所述第二源漏底层保护层的厚度为20-200纳米；所述第三源漏底层保护层的厚度为0.5-20纳米。

13.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述源漏顶层保护层包括：第一源漏顶层保护层以及第二源漏顶层保护层。

14.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，形成所述第一源漏顶层保护层的材料包括：钛铜合金、氮化铜、钛、硅化钛以及钛铜合金、氮化铜、钛、硅化钛中任意两种或多种的叠层材料，以及钼、铝、铌三种金属的合金材料；

形成所述第二源漏顶层保护层的材料包括：Mo-Si-N形成的复合材料、硅钛合金、氮化钛以及氧化钛。

15.根据权要求14所述的阵列基板，其特征在于，所述第一源漏顶层保护层的厚度为0.5-200纳米；所述第二源漏顶层保护层的厚度为0.5-200纳米。

16.一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成栅金属层以及在衬底基板上形成源漏金属层，其特征在于，所述在衬底基板上形成栅金属层包括：在衬底基板上依次形成栅底层保护薄膜以及金属薄膜，通过一次构图工艺在衬底基板上形成栅底层保护层以及栅金属层；

所述在衬底基板上形成源漏金属层包括：在衬底基板上依次形成源漏底层保护薄膜以及金属薄膜，通过一次构图工艺在衬底基板上形成源漏底层保护层以及源漏金属层。