[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

液晶显示装置包括阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶。

阵列基板100如图1所示，包括衬底基板101以及设置在所述衬底基板101上的栅极102、栅绝缘层103、源极1041、漏极1042、有源半导体层105、像素电极106以及钝化层107。一般形成栅极102、源极1041和漏极1042的材料主要是铜。随着显示器的使用时间加长，衬底基板上的金属会发生扩散和迁移，金属层稳定性差，进而影响器件的稳定性，导致产品良率下降。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，解决了现有的阵列基板金属层稳定性差的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的栅金属层和源漏金属层，其特征在于，所述栅金属层和/或所述源漏金属层的下面设置有栅底层保护层和/或源漏底层保护层。

可选的，所述栅金属层和/或所述源漏金属层的上面设置有栅顶层保护层和/或源漏顶层保护层。

可选的，所述栅底层保护层、所述栅顶层保护层、所述源漏底层保护层以及所述源漏顶层保护层为单层或多层。

可选的，所述栅底层保护层包括：第一栅底层保护层、第二栅底层保护层以及第三栅底层保护层。

可选的，形成所述第一栅底层保护层的材料包括：氧化钛、硅钛合金；

形成所述第二栅底层保护层的材料包括：钛、硅钛合金以及钛和硅钛合金的叠层材料；

形成所述第三栅底层保护层的材料包括：钛铜合金；

形成所述栅金属层层的材料包括：铜以及铜合金。

可选的，所述第一栅底层保护层的厚度为0.5-20纳米；所述第二栅底层保护层的厚度为10-300纳米；所述第三栅底层保护层的厚度为0.5-20纳米。

可选的，所述栅顶层保护层包括：第一栅顶层保护层以及第二栅顶层保护层。

可选的，形成所述第一栅顶层保护层的材料包括：硅化铜、氮化铜、钛、硅化钛以及硅化铜、氮化铜、钛、硅化钛中任意两种或多种的叠层材料，以及钼、铝、铌三种金属的合金材料；

形成所述第二栅顶层保护层的材料包括：Mo-Si-N形成的复合材料、硅化钛、氮化钛。

可选的，所述第一栅顶层保护层的厚度为1-200纳米；所述第二栅顶层保护层的厚度为0.5-100纳米。

可选的，所述源漏底层保护层包括：第一源漏底层保护层、第二源漏底层保护层以及第三源漏底层保护层。

可选的，形成所述第一源漏底层保护层的材料包括：镓钛合金、氧化钛、锌钛合金、铟钛合金、氧化铟钛、氧化锡钛、氧化锌钛以及镓钛合金、氧化钛、锌钛合金、铟钛合金、氧化铟钛、氧化锡钛、氧化锌钛中任意两种或多种的叠层材料；

形成所述第二源漏底层保护层的材料包括：钛及其合金；

形成所述第三源漏底层保护层的材料包括：钛铜合金；

形成所述源漏金属层的材料包括：铜或其合金。

可选的，所述第一源漏底层保护层的厚度为0.5-20纳米；所述第二源漏底层保护层的厚度为20-200纳米所述第三源漏底层保护层的厚度为0.5-20纳米。

可选的，所述源漏顶层保护层包括：第一源漏顶层保护层以及第二源漏顶层保护层。

可选的，形成所述第一源漏顶层保护层的材料包括：钛铜合金、氮化铜、钛、硅化钛以及钛铜合金、氮化铜、钛、硅化钛中任意两种或多种的叠层材料，以及钼、铝、铌三种金属的合金材料；

形成所述第二源漏顶层保护层的材料包括：Mo-Si-N形成的复合材料、硅钛合金、氮化钛以及氧化钛。

可选的，所述第一源漏顶层保护层的厚度为0.5-200纳米；所述第二源漏顶层保护层的厚度为0.5-200纳米。

本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上形成栅金属层以及在衬底基板上形成源漏金属层，所述在衬底基板上形成栅金属层包括：在衬底基板上依次形成栅底层保护薄膜以及金属薄膜，通过一次构图工艺在衬底基板上形成栅底层保护层以及栅金属层；

所述在衬底基板上形成源漏金属层包括：在衬底基板上依次形成源漏底层保护薄膜以及金属薄膜，通过一次构图工艺在衬底基板上形成源漏底层保护层以及源漏金属层。