[发明专利]一种透明显示装置及其制作方法有效
申请号: | 201410153794.5 | 申请日: | 2014-04-16 |
公开(公告)号: | CN103985734B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 刘利宾 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H01L31/04 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透明 显示装置 及其 制作方法 | ||
1.一种透明显示装置,所述透明显示装置的显示区包括透光区和不透光区,其特征在于,在所述透光区的部分区域设置有至少一个硅太阳能电池,所述硅太阳能电池沿与透光区的透光方向垂直的方向吸收光能并将其转换为电能。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述硅太阳能电池包括P型半导体和N型半导体,且所述P型半导体和所述N型半导体设置在同一层。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于,在所述P型半导体和所述N型半导体之间设置有本征层。
4.根据权利要求2或3所述的显示装置,其特征在于,所述P型半导体和所述N型半导体均为重掺杂。
5.根据权利要求2或3所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括栅线和数据线,所述硅太阳能电池的P型半导体或N型半导体与所述栅线和/或所述数据线直接接触电连接,向所述栅线和/或数据线提供电信号。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述显示区包括多个子像素,每一子像素包括透光区和不透光区,在至少一个所述子像素的透光区设置有硅太阳能电池。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于,每一所述子像素的透光区均设置有一个硅太阳能电池。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置为OLED显示装置,每一所述子像素包括发光区和透光区。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其特征在于,所述透光区靠近发光区一侧的部分区域设置有硅太阳能电池。
10.一种透明显示装置的制作方法,所述透明显示装置的显示区包括透光区和不透光区,其特征在于,所述方法包括:
在所述透光区部分区域衬底基板上直接形成硅太阳能电池,所述硅太阳能电池沿与透光区的透光方向垂直的方向吸收光能并将其转换为电能。
11.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,在所述透光区部分区域的衬底基板上直接形成硅太阳能电池具体包括:
在衬底基板上形成半导体层,其中,所述半导体层包括对应P型半导体部分和对应N型半导体部分;
对所述半导体层对应P型半导体部分和对应N型半导体部分分别进行离子掺杂,形成P型半导体和N型半导体。
12.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,对所述半导体层对应P型半导体部分和对应N型半导体部分分别进行离子掺杂具体包括:
利用第一掩膜板对所述半导体对应P型半导体部分进行离子掺杂形成P型半导体;
利用第二掩膜板对所述半导体对应N型半导体部分进行离子掺杂形成N型半导体。
13.根据权利要求11所述的制作方法,其特征在于,所述半导体层还包括:有源半导体。
14.根据权利要求10所述的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
在衬底基板上形成栅金属层以及源漏金属层,其中,所述栅金属层包括栅线,所述源漏金属层包括数据线;
所述栅线和/或所述数据线与所述硅太阳能电池的P型半导体或N型半导体直接接触电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的