[发明专利]一种透明显示装置及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种透明显示装置及其制作方法。

背景技术

随着显示技术的不断进步，新的显示技术不断地被人们提出和实现，透明显示产品便是这样一种新型的显示产品。透明显示具有广阔的应用范围，可以融合多点触控、智能显示等技术，作为公共信息显示的终端，用在百货陈列窗、冰箱门透视、汽车前风挡玻璃、自动售货机等各个领域，具有展示、互动、广告等协同效果，透明显示产品由于其独特的使用场景和可实现智能化的场景切换，使得其在特种显示领域的应用也越来越受到关注。

OLED显示装置的透明显示技术的显示原理如图1所示，显示面板包括多个显示单元100，每一显示单元包括红(R)、绿(G)、蓝(B)三种基色的子像素10(栅线31和数据线32交叉形成多个子像素10)，每一个子像素10包括发光区11以及透光区12，其中，发光区11通过有机发光二极管等发光实现显示，透光区12不设置任何像素结构，主要用于透光。且随着发光区11的亮度的提高，透光区12透光的光线也就越多，从而提高了像素的透光率，达到了透明显示的效果。

发明内容

本发明的实施例提供一种透明显示装置及其制作方法，通过在所述显示装置的透光区设置硅太阳能电池，在与透光区的透光方向垂直的方向吸收光能并将其转换为电能。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供了一种透明显示装置，所述透明显示装置的显示区包括透光区和不透光区，在所述透光区的部分区域设置有至少一个硅太阳能电池，所述硅太阳能电池沿与透光区的透光方向垂直的方向吸收光能并将其转换为电能。

可选的，所述硅太阳能电池包括P型半导体和N型半导体，且所述P型半导体和所述N型半导体设置在同一层。

可选的，在所述P型半导体和所述N型半导体之间设置有本征层。

可选的，所述P型半导体和所述N型半导体均为重掺杂。

可选的，所述显示装置还包括栅线和数据线，所述硅太阳能电池的P型半导体或N型半导体与所述栅线和/或所述数据线直接接触电连接，向所述栅线和/或数据线提供电信号。

可选的，所述显示区包括多个子像素，每一子像素包括透光区和不透光区，在至少一个所述子像素的透光区设置有硅太阳能电池。

可选的，每一所述子像素的透光区均设置有一个硅太阳能电池。

可选的，所述显示装置为OLED显示装置，每一所述子像素包括发光区和透光区。

可选的，所述透光区靠近发光区一侧的部分区域设置有硅太阳能电池。

本发明实施例提供了一种透明显示装置的制作方法，所述透明显示装置的显示区包括透光区和不透光区，所述方法包括：

在所述透光区部分区域衬底基板上直接形成硅太阳能电池，所述硅太阳能电池沿与透光区的透光方向垂直的方向吸收光能并将其转换为电能。

可选的，所述在所述透光区部分区域的衬底基板上直接形成硅太阳能电池具体包括：

在衬底基板上形成半导体层，其中，所述半导体层包括对应P型半导体部分和对应N型半导体部分；

对所述半导体层对应P型半导体部分和对应N型半导体部分分别进行离子掺杂，形成P型半导体和N型半导体。

可选的，所述对所述半导体层对应P型半导体部分和对应N型半导体部分分别进行离子掺杂具体包括：

利用第一掩膜板对所述半导体对应P型半导体部分进行离子掺杂形成P型半导体；

利用第二掩膜板对所述半导体对应N型半导体部分进行离子掺杂形成N型半导体。

可选的，所述半导体层还包括：有源半导体。

可选的，所述方法还包括：

在衬底基板上形成栅金属层以及源漏金属层，其中，所述栅金属层包括栅线，所述源漏金属层包括数据线；

所述栅线和/或所述数据线与所述硅太阳能电池的P型半导体或N型半导体直接接触电连接。

本发明的实施例提供一种透明显示装置及其制作方法，所述透明显示装置的透光区的部分区域设置有至少一个硅太阳能电池，且所述硅太阳能电池沿与透光区的透光方向垂直的方向吸收光能将其转换为电能，可应用于显示器件的供电或者其他部件或设备，以节省能源，实现光电的有效利用。

附图说明