[发明专利]关于一种栅驱动非晶硅集成电路

权利要求书

1.关于一种栅驱动非晶硅集成电路，包括状态启动TFT（T1），状态复位TFT（T2），上拉驱动TFT（T3），下拉驱动TFT（T4）和状态存储电容（C1），其中T1的栅极接启动信号STV或上一级输出Qn-1，T1的源极接高电压源Vgh，T1的漏极与T2的源极连接，T2的栅极接到复位信号Reset或下一级输出Qn+1，T2的漏极接到低电压电源Vgl，C1的一端与T1的漏极相连，C1的另一端接到一固定电位，T3的源极接到CK信号，T3的栅极与T1的漏极相连接，T3的漏极连接到输出端Qn，T4源极连接到输出端Qn，T4的栅极连接到CKB，T4漏极连接到低电压电源Vgl。

2.权利要求1所述的栅驱动非晶硅集成电路，其特征在于CK与CKB为振幅的高压与Vgh相同，低压与Vgl相同，高压占空比小于0.5，相位相反的一组时序信号，其中，Vgh为TFT的开启电压，Vgl为TFT关断电压。