[发明专利]高可靠性表面安装器件

权利要求书

1. 一种高可靠性表面安装器件，其特征在于：包括：

二极管芯片（1），其具有正极面和负极面；

第一铜引线（2），此第一铜引线（2）一端为第一焊接区（21），此第一铜引线（2）另一端作为整流二极管器件的阳极端子区（22），阳极端子区（22）一端与第一焊接区（21）一端之间具有第一折弯区（23）；

第二铜引线（3），此第二铜引线（3）一端为第二焊接区（31），此第二铜引线（3）另一端作为整流二极管器件的阴极端子区（32），阴极端子区（32）一端与第二焊接区（31）一端之间具有第二折弯区（33）；

位于第一焊接区（21）另一端的第一引线端头（4）通过焊膏层（5）与所述二极管芯片（1）的正极面的连接，位于第二焊接区（31）另一端的第二引线端头（6）通过焊膏层（5）与所述二极管芯片（1）的负极面的连接，第一引线端头（4）、第二引线端头（6）与焊膏层（5）接触的表面设有至少2个凹洞（9）；

所述第一铜引线（2）的第一焊接区（21）、第二铜引线（3）的第二焊接区（31）中部均设有凸条（8）；

一环氧封装体（7）包覆所述二极管芯片（2）、第一焊接区（21）和第二焊接区（31），第一折弯区（23）、第二折弯区（33）分别位于环氧封装体（7）两侧，阳极端子区（22）、阴极端子区（32）位于环氧封装体（7）下方；

所述二极管芯片（1）包括重掺杂P型区（11）、轻掺杂P型区（12）、轻掺杂N型区（13）和重掺杂N型区（14）的P型单晶硅片衬底（15），此轻掺杂N型区（13）与轻掺杂P型区（12）接触形成结接触面且其位于其正上方，重掺杂N型区（14）与轻掺杂N型区（13）接触并位于其正上方，重掺杂P型区（11）与轻掺杂P型区（12）接触并位于其正下方；

重掺杂N型区（14）的中央区域覆盖作为负极的第一金属层（18），重掺杂P型区（11）下表面覆盖作为阳极的第二金属层（19）；

所述轻掺杂N型区（13）与重掺杂N型区（14）接触的上部区域且位于轻掺杂N型区（13）边缘的四周区域具有中掺杂N型区（11），此中掺杂N型区（11）的上表面与重掺杂N型区（14）的下表面接触；

所述轻掺杂P型区（12）与重掺杂P型区（11）接触的下部区域且位于轻掺杂P型区（12）边缘的四周区域具有中掺杂P型区（24），此中掺杂P型区（24）的下表面与重掺杂P型区（11）的上表面接触。

2. 根据权利要求1所述的高可靠性表面安装器件，其特征在于：所述P型单晶硅片衬底（15）四周具有环形缺口区（16），此环形缺口区（16）位于轻掺杂P型区（12）、轻掺杂N型区（13）和重掺杂N型区（14）四周，所述环形缺口区（16）的表面覆盖有绝缘钝化保护层（17），此绝缘钝化保护层（17）内侧延伸至重掺杂N型区（14）上表面的边缘区域。

3. 根据权利要求1所述的高可靠性表面安装器件，其特征在于：所述中掺杂N型区（20）的外侧面与环形缺口区（16）接触，此中掺杂P型区（24）的外侧面与环形缺口区（16）接触。

4. 根据权利要求1所述的高可靠性表面安装器件，其特征在于：所述凸条（8）分别与第一焊接区（21）、第二焊接区（31）垂直设置；所述凸条（8）的长度大于第一引线端头（4）、第二引线端头（6）的长度。

5. 根据权利要求1所述的高可靠性表面安装器件，其特征在于：所述第一焊接区（21）与阳极端子区（22）平行且其与第一折弯区（23）垂直，所述第二焊接区（31）与阴极端子区（32）平行且其与第二折弯区（33）垂直。