[发明专利]高可靠性表面安装器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种表面安装器件，属于半导体元器件领域。

背景技术

表面安装器件广泛应用于各种电子线路。现有的高可靠性表面安装器件存在以下技术问题：（1）高温下漏电流大，器件容易局部温升，器件耐高压性能性和可靠性均较差；（2）体积较大，安装不方便，且安装时，容易造成环氧封装体与铜引线开裂，以及影响二极管芯片与铜引线焊接牢度；（3）铜引线与二极管芯片之间容易发生移位，最终导致焊接封装后的二极管焊片偏心，造成二极管的良品率下降，接触不可靠，电性能不稳定且容易失效等问题。

发明内容

本发明提供一种高可靠性表面安装器件，该表面安装器件大大降低整个器件的反向漏电流，避免了器件的局部温升，提高了器件耐高压性能性和可靠性；也防止发生移位、焊接封装后的二极管焊片偏心，提高了二极管的良品率和电性能，大大减低了环氧封装体与铜引线之间开裂。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种高可靠性表面安装器件，包括：

二极管芯片，其具有正极面和负极面；

第一铜引线，此第一铜引线一端为第一焊接区，此第一铜引线另一端作为整流二极管器件的阳极端子区，阳极端子区一端与第一焊接区一端之间具有第一折弯区；

第二铜引线，此第二铜引线一端为第二焊接区，此第二铜引线另一端作为整流二极管器件的阴极端子区，阴极端子区一端与第二焊接区一端之间具有第二折弯区；

位于第一焊接区另一端的第一引线端头通过焊膏层与所述二极管芯片的正极面的连接，位于第二焊接区另一端的第二引线端头通过焊膏层与所述二极管芯片的负极面的连接，第一引线端头、第二引线端头与焊膏层接触的表面设有至少2个凹洞；

所述第一铜引线的第一焊接区、第二铜引线的第二焊接区中部均设有凸条；

一环氧封装体包覆所述二极管芯片、第一焊接区和第二焊接区，第一折弯区、第二折弯区分别位于环氧封装体两侧，阳极端子区、阴极端子区位于环氧封装体下方；

所述二极管芯片包括重掺杂P型区、轻掺杂P型区、轻掺杂N型区和重掺杂N型区的P型单晶硅片衬底，此轻掺杂N型区与轻掺杂P型区接触形成结接触面且其位于其正上方，重掺杂N型区与轻掺杂N型区接触并位于其正上方，重掺杂P型区与轻掺杂P型区接触并位于其正下方；

重掺杂N型区的中央区域覆盖作为负极的第一金属层，重掺杂P型区下表面覆盖作为阳极的第二金属层；

所述轻掺杂N型区与重掺杂N型区接触的上部区域且位于轻掺杂N型区边缘的四周区域具有中掺杂N型区，此中掺杂N型区的上表面与重掺杂N型区的下表面接触；

所述轻掺杂P型区与重掺杂P型区接触的下部区域且位于轻掺杂P型区边缘的四周区域具有中掺杂P型区，此中掺杂P型区的下表面与重掺杂P型区的上表面接触。

上述技术方案中进一步改进的方案如下：

1. 上述方案中，所述P型单晶硅片衬底四周具有环形缺口区，此环形缺口区位于轻掺杂P型区、轻掺杂N型区和重掺杂N型区四周，所述环形缺口区的表面覆盖有绝缘钝化保护层，此绝缘钝化保护层内侧延伸至重掺杂N型区上表面的边缘区域。

2. 上述方案中，所述中掺杂N型区的外侧面与环形缺口区接触，此中掺杂P型区的外侧面与环形缺口区接触。

3. 上述方案中，所述凸条分别与第一焊接区、第二焊接区垂直设置，所述凸条的长度大于第一引线端头、第二引线端头的长度。

4. 上述方案中，所述第一焊接区与阳极端子区平行且其与第一折弯区垂直，所述第二焊接区与阴极端子区平行且其与第二折弯区垂直。

由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：