[发明专利]抹除非易失性存储器的方法

权利要求书

1.一种抹除非易失性存储器的方法，包含：

选择一存储器区块以执行一抹除运作；

藉由多个抹除脉冲以抹除所选择的存储器区块；

接收来自该所选择的存储器区块的抹除数据；

根据该抹除数据选择一过抹除校正验证电压电平；以及

对该所选择的存储器区块进行过抹除校正直到该所选择的存储器区块内的每一存储器晶胞的临界电压电平大于该过抹除校正验证电压电平。

2.根据权利要求1的方法，其中藉由多个抹除脉冲以抹除该所选择的存储器区块的步骤包含：

在每一抹除脉冲施加于该所选择的存储器区块后，对该所选择的存储器区块执行一抹除验证检查；以及

当该所选择的存储器区块内的每一存储器晶胞通过该抹除验证检查后，停止施加所述抹除脉冲。

3.根据权利要求1的方法，其中该等抹除脉冲的电压电平以步阶的方式持续变化。

4.根据权利要求1的方法，其中所述抹除脉冲施加至该所选择的存储器区块内的每一存储器晶胞的栅极端。

5.根据权利要求1的方法，其中该等抹除脉冲施加至该所选择的存储器区块内的每一存储器晶胞的本体端。

6.根据权利要求1的方法，其中该抹除数据包含施加于该所选择的存储器区块的该等抹除脉冲的次数，且该过抹除校正验证电压电平由所述抹除脉冲的次数所决定。

7.根据权利要求6的方法，其中该根据该抹除数据选择该过抹除校正验证电压电平的步骤包含：

计数所述抹除脉冲的次数；

当该次数大于一预定值时，施加一第一过抹除校正验证电压电平至该所选择的存储器区块；以及

当该次数小于一预定值时，施加一第二过抹除校正验证电压电平至该所选择的存储器区块；

其中，该第一过抹除校正验证电压电平大于该第二过抹除校正验证电压电平。

8.根据权利要求1的方法，其中所述抹除脉冲中的每一个具有一固定时间间隔，且该抹除数据包含施加于该所选择的存储器区块的该等抹除脉冲的总时间间隔。

9.根据权利要求6的方法，其中该根据该抹除数据选择该过抹除校正验证电压电平的步骤包含：

计算该总时间间隔；

当该总时间间隔大于一预定值时，施加一第一过抹除校正验证电压电平至该所选择的存储器区块；以及

当该总时间间隔小于一预定值时，施加一第二过抹除校正验证电压电平至该所选择的存储器区块；

其中，该第一过抹除校正验证电压电平大于该第二过抹除校正验证电压电平。

10.根据权利要求1的方法，其中所述抹除脉冲的电压电平以步阶的方式持续上升，且该抹除数据包含施加于该所选择的存储器区块的最终脉冲的电压电平。

11.根据权利要求10的方法，其中该根据该抹除数据选择该过抹除校正验证电压电平的步骤包含：

比较该最终脉冲的电压电平与一预定值；

若该最终脉冲的电压电平大于该预定值时，施加一第一过抹除校正验证电压电平至该所选择的存储器区块；以及

若该最终脉冲的电压电平小于该预定值时，施加一第二过抹除校正验证电压电平至该所选择的存储器区块；

其中，该第一过抹除校正验证电压电平大于该第二过抹除校正验证电压电平。