[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基板，其具有第一面；

体区，其位于所述半导体基板中，且以与所述第一面相接的方式而设置；

栅绝缘膜，其以与所述体区相接的方式而设置在所述第一面上；

栅电极，其位于所述栅绝缘膜上；

第一绝缘体膜，其覆盖所述栅电极的侧面的至少一部分；

接触区，其以与所述第一面相接的方式设置在所述体区内、且对所述第一面俯视观察时与所述栅电极不同的位置处；

第二绝缘体膜，其包含与所述第一绝缘体膜的材料不同的材料，且位于所述体区、所述栅电极以及所述第一绝缘体膜上，并且在所述接触区上具有接触孔，

所述第一绝缘体膜的一部分与所述体区中的偏移扩散区接合。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述接触孔以在对所述第一面俯视观察时不与所述栅电极重叠的方式而设置。

3.如权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述接触孔以横跨在所述接触区的至少一部分上和所述第一绝缘体膜的至少一部分上的方式而设置。

4.如权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其中，

还包括第一导电型的阱、第二导电型的体接触区、以及第一导电型的漏接触区，

所述阱位于所述半导体基板中，并且与所述第一面相接，

在所述阱内设置有第二导电型的所述体区，

在所述体区内、且在对所述第一面俯视观察时与所述栅电极和第一导电型的所述接触区不同的位置处，以与所述第一面相接的方式设置有所述体接触区，

在所述阱内、且远离所述体区的位置处设置有所述漏接触区。

5.一种半导体装置，包括：

半导体基板，其具有第一面；

第三绝缘体膜，其位于所述半导体基板的所述第一面上；

第一绝缘体膜，其位于俯视观察时所述第三绝缘体膜的一侧的端部的至少一部分上；

接触区，其以与所述第一面相接的方式设置在所述半导体基板内、且对所述第一面俯视观察时与所述第三绝缘体膜不同的位置处；

第二绝缘体膜，其包含与所述第一绝缘体膜的材料不同的材料，且位于所述第三绝缘体膜和所述第一绝缘体膜上，并且在所述接触区上具有接触孔，

所述第一绝缘体膜的一部分与体区中的偏移扩散区接合。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，

还包括导电层，所述导电层位于所述第三绝缘体膜的一部分上，

所述第一绝缘体膜覆盖所述导电层的侧面的至少一部分。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述接触孔以在对所述第一面俯视观察时不与所述导电层重叠的方式而设置。

8.如权利要求5至权利要求7中任一项所述的半导体装置，其中，

所述接触孔以横跨在所述接触区的至少一部分上和所述第一绝缘体膜的至少一部分上的方式而设置。

9.如权利要求5至权利要求7中任一项所述的半导体装置，其中，

还包括第一导电型的阱、第二导电型的体区、栅绝缘膜、栅电极、第一导电型的源接触区、以及第二导电型的体接触区，

所述阱位于所述半导体基板中，且与所述第一面相接，

所述体区位于所述阱内，且与所述第一面相接，

在所述第一面上以与所述体区相接的方式设置有所述栅绝缘膜，

在所述栅绝缘膜上设置有所述栅电极，

在所述体区内、且在对所述第一面俯视观察时与所述栅电极不同的位置处，以与所述第一面相接的方式设置有所述源接触区和所述体接触区，

在所述阱内、且远离所述体区的位置处设置有第一导电型的所述接触区。