[发明专利]一种低成本的圆片级CSP封装方法及其封装结构在审
| 申请号： | 201410156555.5 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103928417A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张黎;陈锦辉;赖志明;胡正勋 | 申请（专利权）人： | 江阴长电先进封装有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 彭英 |
| 地址： | 214429 江苏省无锡市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低成本 圆片级 csp 封装 方法 及其 结构 | ||
1.一种低成本的圆片级CSP封装方法，其工艺过程如下：
提供带有芯片电极阵列的圆片；
在芯片电极阵列的表面形成金属凸点；
沿圆片的划片道开设深至圆片且不切透圆片的宽沟槽；
在上述圆片上印刷绝缘层，并固化成形；
削减绝缘层和金属凸点，形成金属凸点切面；
在金属凸点切面的表面形成金属保护层；
再次沿圆片的划片道分割圆片，形成宽度小于宽沟槽的分割道，再裂片形成单颗的低成本的圆片级CSP封装结构。
2.根据权利要求1所述的圆片级CSP封装方法，其特征在于：所述宽沟槽（120）的深度小于圆片（100）的厚度。
3.根据权利要求1所述的圆片级CSP封装方法，其特征在于：所述金属凸点（300）的高度为H3，H3≥17μm。
4.根据权利要求3所述的圆片级CSP封装方法，其特征在于：所述金属凸点（300）的被削减高度为h3，h3≥2μm。
5.一种低成本的圆片级CSP封装结构，包括带有若干个芯片电极（110）的硅基本体（101），
其特征在于：所述硅基本体（101）的侧壁呈台阶状，所述芯片电极（110）位于台阶状的硅基本体（101）的顶部；
所述芯片电极（110）的表面设置平头金属凸点（310），所述平头金属凸点（310）的上端面覆盖金属保护层（410）；
还包括绝缘层（201），所述绝缘层（201）设置于芯片电极（110）一侧的所述硅基本体（101）的表面以及所述硅基本体（101）的侧壁，所述绝缘层（201）的上表面与平头金属凸点（310）的上端面齐平。
6.根据权利要求5所述的圆片级CSP封装结构，其特征在于：所述平头金属凸点（310）的高度h1，15μm≤h1≤25μm。
7.根据权利要求5所述的圆片级CSP封装结构，其特征在于：所述硅基本体（101）的台阶状侧壁至少有一阶台阶。
8.根据权利要求7所述的圆片级CSP封装结构，其特征在于：所述台阶的总深度h2≥30μm。
9.根据权利要求8所述的圆片级CSP封装结构，其特征在于：所述台阶的总深度h2为100～150μm。
10.根据权利要求5至9中任一种所述的圆片级CSP封装结构，其特征在于：位于所述芯片电极（110）另一侧的所述硅基本体（101）的表面设置背面保护层（421）。
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