[发明专利]剥离光阻用组成物及其使用方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种剥离光阻用组成物，特别是涉及一种包含胺系化合物及醇系化合物的剥离光阻用组成物，其中，该醇系化合物包括至少一种由下列群组所组成的第一醇系化合物：糖系化合物及含炔基的醇系化合物。

背景技术

在半导体制程中，是在晶片上形成集成电路，而该集成电路是由许多金属线路所构成，其中，所述金属线路主要是通过光刻制程来形成。该光刻制程包含基板处理、光阻涂布、曝光、显影、蚀刻及光阻剥离等步骤。随着集成电路尺寸的微小化，对所形成的金属线路的品质更为要求，除了通过光阻成分上的改良达到金属线路的品质诉求外，也越来越重视光阻剥离步骤的技术，其中，开发一有效地将光阻从金属线路上剥离的组成物，是此技术领域相关技术人员积极研究的课题。

日本专利公开号2005070230揭示一种剥离光阻用组成物。该剥离光阻用组成物包含2,3-二羟基萘(A)、有机胺化合物(B)、极性有机溶剂(C)及糖类(D)，其中，有机胺化合物(B)选自单乙醇胺、异丙醇胺或二甘醇。该剥离光阻用组成物可避免金属线路被腐蚀且可将光阻从金属线路上剥离。虽然该剥离光阻用组成物可将光阻剥离，但会发生已剥离的光阻回沾至金属线路上的现象，且每单位体积的剥离光阻用组成物剥离光阻的效率不佳，以致于洗净容量(capacity for cleaning)不足。

鉴于上述，改良剥离光阻用组成物从而避免已剥离的光阻回沾至金属层或绝缘层上，同时，提高剥离光阻用组成物的洗净容量，是此技术领域相关技术人员可再突破的课题。

发明内容

本发明的第一目的在于提供一种避免已剥离的光阻回沾至金属层或绝缘层上且具有大洗净容量的剥离光阻用组成物。

本发明剥离光阻用组成物，包含：

胺系化合物，包括至少一种由下列群组所组成的叔胺系化合物：式(I)所示的氮杂环化合物及具有至少两个叔胺的链状多胺化合物；

于式(I)中，A及B分别表示或条件是A及B中至少一者表示其中，该R表示未经取代的C₁至C₄的烷基，或经取代的C₁至C₄的烷基；

醇系化合物，包括至少一种由下列群组所组成的第一醇系化合物：糖系化合物及含炔基的醇系化合物；

季铵盐化合物；

有机溶剂；以及

水。

本发明剥离光阻用组成物，该经取代的C₁至C₄的烷基选自经羟基取代的C₁至C₄的烷基、经氨基取代的C₁至C₄的烷基，或经氰基取代的C₁至C₄的烷基。

本发明剥离光阻用组成物，该具有至少两个叔胺的链状多胺化合物选自N,N,N',N'-四甲基乙二胺、N,N,N',N'-四甲基丙二胺、双[2-(N,N-二甲基氨基)乙基]醚、N,N,N',N'',N''-五甲基二亚乙基三胺、N,N,N',N'-四甲基己二胺，或它们的组合。

本发明剥离光阻用组成物，基于该胺系化合物的总量为100重量份，该醇系化合物的使用量范围为10至100重量份、该季铵盐化合物的使用量范围为5至100重量份、该有机溶剂的使用量范围为500至4,000重量份，以及该水的使用量范围为100至1,000重量份。

本发明剥离光阻用组成物，该有机溶剂包括第一溶剂；该第一溶剂选自二醇系化合物、醇醚系化合物，或它们的组合。

本发明剥离光阻用组成物，该糖系化合物选自葡萄糖、甘露糖、半乳糖、山梨糖醇、甘露糖醇、木糖醇，或它们的组合。

本发明剥离光阻用组成物，该含炔基的醇系化合物选自3-甲基-1-丁炔基-3-醇、3-甲基-1-戊炔基-3-醇、3,6-二甲基-4-辛炔基-3,6-二醇、2,4,7,9-四甲基-5-癸炔基-4,7-二醇、3,5-二甲基-1-己炔基-3-醇、2-丁炔基-1,4-二醇，或它们的组合。

本发明的第二目的在于提供一种使用剥离光阻用组成物的方法。

本发明使用剥离光阻用组成物的方法，包含以下步骤：

提供积层体，包括基板、形成在该基板上的金属层或绝缘层，及形成在该金属层或绝缘层上的光阻层；

将该积层体的光阻层与上述的剥离光阻用组成物接触，直至该光阻层自该积层体剥离；

施予清洗处理。