[发明专利]芯片封装结构、制作方法及芯片封装基板

权利要求书

1.一种芯片封装结构的制作方法，包括步骤：

提供一承载板，在所述承载板至少一侧依次形成第一导电线路层、第一介电层、第二导电线路层，其中，所述第一介电层内形成有多个第一介电层开口，多个第一导电柱形成于所述第一介电层开口内，位于所述承载板同侧的所述第一导电线路层及所述第二导电线路层通过多个第一导电柱相电连接；

在所述第二导电线路层远离所述承载板的一侧形成第二介电层，所述第二介电层内形成有多个第二介电层开口；

电镀在所述第二介电层开口内形成多个第二导电柱，其中，所述第二导电线路层与所述第二导电柱相电连接，所述第二导电柱远离所述第一介电层的表面与所述第二介电层的远离所述第一介电层的表面大致相齐平；

去除所述承载板；

在每个所述第二导电柱远离所述第一导电线路层的表面形成一第一焊球；及

在多个所述第一焊球表面焊接一芯片，使所述芯片与所述第二导电柱电连接，从而形成所述芯片封装结构。

2.如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一导电线路层的形成方法包括：在所述承载板至少一侧贴合一铜箔及通过影像转移工艺及蚀刻工艺将所述铜箔制作形成所述第一导电线路层。

3.如权利要求2所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述铜箔通过一热塑性胶体层贴合于所述承载板的表面；去除所述承载板的步骤中，通过加热使所述热塑性胶体层到达熔点，使所述承载板与所述第一导电线路层分离，从而去除所述承载板。

4.如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一介电层的形成方法包括：在所述第一导电线路层的远离所述承载板的一侧贴合胶片，以及热压合固化所述胶片，形成所述第一介电层；通过激光蚀孔在所述第一介电层上形成多个所述第一介电层开口。

5.如权利要求4所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，形成所述第一介电层之后，在所述第一介电层的表面形成一图案化光阻层；通过选择性电镀，从而在每个所述第一介电层开口内均形成第一导电柱，以及在所述第一介电层的部分表面形成第二导电线路层，使所述第一导电线路层及所述第二导电线路层通过所述第一导电柱相电连接；去除所述图案化光阻层。

6.如权利要求5所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，去除所述图案化光阻层之后，在所述第二导电线路层的远离所述承载板的一侧贴合胶片，以及热压合固化所述胶片，形成所述第二介电层；通过激光蚀孔在所述第二介电层上形成多个所述第二介电层开口。

7.如权利要求5所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，去除所述图案化光阻层之后，以注塑成型的方式在所述第二导电线路层的远离所述承载板的一侧形成所述第二介电层；通过激光蚀孔在所述第二介电层上形成多个所述第二介电层开口。

8.如权利要求6或7所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，电镀，从而在所述第二介电层开口内形成所述第二导电柱。

9.如权利要求1所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，还在所述第一导电线路层表面形成第二焊球，所述焊球用于将所述芯片封装结构与一电路板相电连接。

10.一种芯片封装结构的制作方法，包括步骤：

提供一承载板，在所述承载板至少一侧依次形成第一导电线路层、第一介电层、第二导电线路层，其中，所述第一介电层内形成有多个第一介电层开口，多个第一导电柱形成于所述第一介电层开口内，位于所述承载板同侧的所述第一导电线路层及所述第二导电线路层通过多个第一导电柱相电连接；

电镀从而在所述第二导电线路层表面形成多个第二导电柱，所述第二导电线路层与所述第二导电柱相电连接；

在所述第二导电线路层远离所述承载板的一侧形成第二介电层，所述第二介电层内形成有多个第二介电层开口，其中，所述多个第二导电柱均形成于所述第二介电层开口内，所述第二导电柱远离所述第一介电层的表面与所述第二介电层的远离所述第一介电层的表面大致相齐平；

去除所述承载板；

在每个所述第二导电柱远离所述第一导电线路层的表面形成一第一焊球；及

在多个所述第一焊球表面焊接一芯片，使所述芯片与所述第二导电柱电连接，从而形成所述芯片封装结构。