[发明专利]芯片封装结构、制作方法及芯片封装基板

说明书

技术领域

本发明涉及电路板制作领域，尤其涉及一种芯片封装结构、制作方法及芯片封装基板。

背景技术

芯片封装基板可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效，以实现多引脚化，缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的。一般地，芯片封装基板在置接芯片侧形成防焊层开口，以暴露出焊垫，进而可以在焊垫表面形成焊球并与芯片焊接。在高密度布线的需求下，线路越来越细，防焊层开口也越来越小，从而由防焊层开口所定义的焊垫的尺寸也越来越小，从而使焊接不良频频发生，一方面，焊球不易填充入防焊层开口进而会造成空焊，另一方面，焊球直径随防焊层开口尺寸变小而变小，以至于焊接高度不足，导致芯片与封装基板之间的距离不够，难以填充封装胶体，进而导致芯片不能被牢固地封装在封装基板上。

发明内容

因此，有必要提供一种能够提高焊接良率的芯片封装结构、制作方法和芯片封装基板。

一种芯片封装结构的制作方法，包括步骤：提供一承载板，在所述承载板至少一侧依次形成第一导电线路层、第一介电层、第二导电线路层，其中，所述第一介电层内形成有多个第一介电层开口，多个第一导电柱形成于所述第一介电层开口内，位于所述承载板同侧的所述第一导电线路层及所述第二导电线路层通过多个第一导电柱相电连接；在所述第二导电线路层远离所述承载板的一侧形成第二介电层，所述第二介电层内形成有多个第二介电层开口；电镀在所述第二介电层开口内形成多个第二导电柱，其中，所述第二导电线路层与所述第二导电柱相电连接，所述第二导电柱远离所述第一介电层的表面与所述第二介电层的远离所述第一介电层的表面大致相齐平；去除所述承载板；在每个所述第二导电柱远离所述第一导电线路层的表面形成一第一焊球；及在多个所述第一焊球表面焊接一芯片，使所述芯片与所述第二导电柱电连接，从而形成所述芯片封装结构。

一种芯片封装结构的制作方法，包括步骤：提供一承载板，在所述承载板至少一侧依次形成第一导电线路层、第一介电层、第二导电线路层，其中，所述第一介电层内形成有多个第一介电层开口，多个第一导电柱形成于所述第一介电层开口内，位于所述承载板同侧的所述第一导电线路层及所述第二导电线路层通过多个第一导电柱相电连接；电镀从而在所述第二导电线路层表面形成多个第二导电柱，所述第二导电线路层与所述第二导电柱相电连接；在所述第二导电线路层远离所述承载板的一侧形成第二介电层，所述第二介电层内形成有多个第二介电层开口，其中，所述多个第二导电柱均形成于所述第二介电层开口内，所述第二导电柱远离所述第一介电层的表面与所述第二介电层的远离所述第一介电层的表面大致相齐平；去除所述承载板；在每个所述第二导电柱远离所述第一导电线路层的表面形成一第一焊球；及在多个所述第一焊球表面焊接一芯片，使所述芯片与所述第二导电柱电连接，从而形成所述芯片封装结构。

一种芯片封装结构，包括一第一介电层、一第一导电线路层、一第二导电线路层、一第二介电层、多个第二导电柱及至少一芯片。所述第一介电层包括相对的第一表面及第二表面。所述第一导电线路层形成于所述第一介电层的第一表面并侧嵌设于所述第一介电层内，且所述第一导电线路层远离所述第二表面的面与所述第一表面相齐平。所述第二导电线路层形成于所述第二表面，所述第二导电线路层与所述第一导电线路层通过多个第一导电柱相电连接。所述第二介电层形成于所述第二表面及所述第二导电线路层的表面。所述第二介电层设有多个第二介电层开口。所述多个第二导电柱通过电镀形成于所述第二介电层开口内，所述多个第二导电柱均与所述第二导电线路层相电连接，且所述第二导电柱远离所述第一介电层的表面与所述第二介电层的远离所述第一介电层的表面大致相齐平。所述芯片通过多个第一焊球与所述第二导电柱相电连接。

一种芯片封装基板，包括一第一介电层、一第一导电线路层、一第二导电线路层、一第二介电层、及多个第二导电柱。所述第一介电层包括相对的第一表面及第二表面。所述第一导电线路层形成于所述第一介电层的第一表面并侧嵌设于所述第一介电层内，且所述第一导电线路层远离所述第二表面的面与所述第一表面相齐平。所述第二导电线路层形成于所述第二表面，所述第二导电线路层与所述第一导电线路层通过多个第一导电柱相电连接。所述第二介电层形成于所述第二表面及所述第二导电线路层的表面。所述第二介电层设有多个第二介电层开口。所述多个第二导电柱通过电镀形成于所述第二介电层开口内，所述多个第二导电柱均与所述第二导电线路层相电连接，且所述第二导电柱远离所述第一介电层的表面与所述第二介电层的远离所述第一介电层的表面大致相齐平。