[发明专利]一种像素表面平整度实现方法在审
| 申请号： | 201410160178.2 | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN103915333A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 杜寰 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 像素 表面 平整 实现 方法 | ||
1.一种像素表面平整度实现方法，其特征在于，包括：硅衬底及集成电路器件制备步骤、PECVD（等离子增强化学气相淀积）方法生长介质步骤、铝布线步骤、溅射Ti/TiN和钨步骤。
2.如权利要求1所述的像素表面平整度实现方法，其特征在于，还包括光刻并刻蚀接触孔的步骤。
3.如权利要求1或2所述的像素表面平整度实现方法，其特征在于，进一步包括CMP（化学机械抛光）步骤，保证硅片表面平整度。
4.如权利要求3所述的像素表面平整度实现方法，其特征在于，所述PECVD方法生长介质的步骤进行三次。优选地，所述CMP步骤也进行三次。
5.如权利要求1-3任一项所述的像素表面平整度实现方法，其特征在于，还包括制备镜面反射电极的步骤。
6.如权利要求5所述的像素表面平整度实现方法，其特征在于，采用银来制备所述镜面反射电极。
7.如权利要求1-6任一项所述的像素表面平整度实现方法，其特征在于，还包括制备薄盒，灌装液晶的步骤。
8.如权利要求1-7任一项所述的像素表面平整度实现方法，其特征在于，其包括以下工艺步骤：
（1）硅衬底及集成电路器件制备；
（2）PECVD（等离子增强化学气相淀积）方法生长介质一；
（3）CMP（化学机械抛光），保证硅片表面平整度；
（4）光刻并刻蚀接触孔；
（5）溅射铝并光刻、刻蚀，形成一铝布线；
（6）PECVD介质二
（7）CMP；
（8）刻一次通孔；
（9）二铝布线；
（10）PEECVD介质三
（11）CMP；
（12）刻二次通孔；
（13）溅射Ti/TiN和钨，反刻钨，形成钨塞；
（14）蒸银；
（15）剥离银，形成银反射电极；
（16）制备薄盒，灌装液晶；
（17）键合引出电路管脚；
（18）成品测试。
9.如权利要求1-8任一项所述的像素表面平整度实现方法，其特征在于，所述像素为反射型显示器件的像素。
10.如权利要求9所述的像素表面平整度实现方法，其特征在于，所述反射型显示器件为LCoS(Liquid Crystal on Silicon,LCoS)。
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