[发明专利]一种像素表面平整度实现方法在审
申请号: | 201410160178.2 | 申请日: | 2014-04-21 |
公开(公告)号: | CN103915333A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 杜寰 | 申请(专利权)人: | 上海联星电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/3105 | 分类号: | H01L21/3105;G02F1/1343;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 表面 平整 实现 方法 | ||
技术领域
本发明涉及像素制造技术领域,特别涉及一种像素表面平整度实现方法。
背景技术
硅基液晶(Liquid Crystal on Silicon,LCoS)是一种液晶显示器(LCD)的新兴技术,是由Aurora Systems融合半导体CMOS集成电路与液晶两项技术的优势,于2000年开发出的一种高分辨率,低价格,反射式新型显示技术。它是一种将LCD直接制于单晶硅片上的新型液晶显示器件。单晶硅片上可将LCD的有源矩阵薄膜晶体管(AMTFT),外部驱动电路及控制电路等全部制于上面,以此作为LCD的一块基板,与另一块作为公共电极的涂上透明导电层的玻璃基板共同封接成一个薄盒,注入液晶即可制成硅基液晶显示器件。
LCoS具有智能化、引线少、体积小、像素开口率高、分辨率高、光利用率高、显示方式多样化、易于实现彩色化、投资少、利于大批量生产等优点。同时又需要特殊的材料、工艺、设计、检测及配套等关键技术,提高了LCoS微显示技术的难度。
LCoS为反射型显示器件,外部强光源透过液晶层,照射到反射镜面电极上,经镜面电极反射入人眼,利用液晶层两端电压控制液晶层的透明度来控制反射出液晶层的光线的强度,实现灰度调制功能。
LCoS技术采用的液晶材料厚度一般在2μm左右,硅基板的表面起伏对液晶厚度的均匀性影响很大,因此LCoS技术要求硅基板的平整度非常高。
发明内容
本发明的目的包括提供一种像素表面平整度实现方法,优选地,在集成电路制造过程中,每次介质层制备完成均施行一次CMP工艺,确保镜面反射电极制备之前的像素表面的平整度。LCoS技术采用的液晶层厚度为2μm左右,像素表面的高低起伏会对液晶的厚度均匀性带来严重影响,并且像素表面电极如果不平整,容易形成漫反射,镜面反射电极徒有其名,严重影响显示效果;另外,LCoS像素区域镜面反射电极一般采用铝来制备,但是铝暴露在空气中极易氧化,反射率大大降低。本发明旨在解决上述技术问题。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:一种像素表面平整度实现方法,其特征在于,包括:硅衬底及集成电路器件制备步骤、PECVD(等离子增强化学气相淀积)方法生长介质步骤、铝布线步骤、溅射Ti/TiN和钨步骤。
在一个实施方案中,还包括光刻并刻蚀接触孔的步骤。
在另一个实施方案中,进一步包括CMP(化学机械抛光)步骤,保证硅片表面平整度。
在又一个实施方案中,所述所述PECVD方法生长介质的步骤进行三次。优选地,所述CMP步骤也进行三次。
在一个实施方案中,还包括制备镜面反射电极的步骤。
优选地,采用银来制备所述镜面反射电极。
在一个实施方案中,还包括制备薄盒,灌装液晶的步骤。
在一个优选的实施方案中,其包括以下工艺步骤:
(1)硅衬底及集成电路器件制备;
(2)PECVD(等离子增强化学气相淀积)方法生长介质一;
(3)CMP(化学机械抛光),保证硅片表面平整度;
(4)光刻并刻蚀接触孔;
(5)溅射铝并光刻、刻蚀,形成一铝布线;
(6)PECVD介质二
(7)CMP;
(8)刻一次通孔;
(9)二铝布线;
(10)PEECVD介质三
(11)CMP;
(12)刻二次通孔;
(13)溅射Ti/TiN和钨,反刻钨,形成钨塞;
(14)蒸银;
(15)剥离银,形成银反射电极;
(16)制备薄盒,灌装液晶;
(17)键合引出电路管脚;
(18)成品测试。
在一个实施方案中,所述像素为反射型显示器件的像素。
在一个尤为优选的实施方案中,所述反射型显示器件为LCoS(Liquid Crystal on Silicon,LCoS)。
本发明提供的像素表面平整度实现方法具有如下有益效果:每次介质层制备完成均施行一次CMP工艺,确保镜面反射电极制备之前的像素表面的平整度;同时,本发明用银代替铝制备镜面反射电极,提高了镜面反射电极反射率和抗氧化性。
附图说明
图1为本发明的LCoS微显示驱动面板制备的具体工艺步骤;
图2为AFM测试所得像素区域表面形貌示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行进一步的详细说明,应理解下述实施例为示例性而非限制性的,旨在说明以及解释本发明的构思和精神。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海联星电子有限公司,未经上海联星电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410160178.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造