[发明专利]半导体存储器件和包括其的半导体系统有效
申请号: | 201410160427.8 | 申请日: | 2014-04-21 |
公开(公告)号: | CN104517654B | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 具岐峰 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C29/44 | 分类号: | G11C29/44 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;周晓雨 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冗余区 正常区 半导体存储器件 错误位置信息 错误信息数据 储存 替换 存储器单元阵列 错误检测单元 错误检测结果 修复 半导体系统 操作单元 操作时段 错误信息 正常数据 响应 检测 | ||
1.一种半导体存储器件,包括:
存储器单元阵列,其包括:用于储存多个数据的正常区、用于储存分别与所述多个数据相对应的多个错误信息数据的错误信息区、以及用于替换所述正常区的冗余区;
写入操作单元,适用于:将输入数据的第一比特作为所述多个数据中的一个储存在所述存储器单元阵列上,以及将所述输入数据的第二比特作为所述多个错误信息数据中的相应一个储存在所述错误信息区上;
错误检测单元,适用于:响应于所述多个错误信息数据而检测所述多个数据上的错误,以及基于错误检测结果来储存错误位置信息,所述错误位置信息指示所述正常区中的具有错误的数据的存储区;以及
修复操作单元,适用于:在修复操作时段期间,利用所述冗余区来替换由所述错误位置信息指示的所述存储区。
2.如权利要求1所述的半导体存储器件,还包括:
读取操作单元,适用于:将储存在所述存储器单元阵列上的所述多个数据中的一个选择作为选中的数据、将所述多个错误信息数据中的与所述选中的数据相对应的一个选择作为选中的错误信息数据、以及将通过组合所述选中的数据和所述选中的错误信息数据而产生的输出数据输出。
3.如权利要求2所述的半导体存储器件,其中,所述错误检测单元包括:
错误发生判断单元,适用于:通过基于所述选中的错误信息数据而判断在所述选中的数据中是否发生错误,来产生错误判断信号;以及
错误信息储存单元,适用于:响应于所述错误判断信号,将指示所述选中的数据被储存在所述正常区中何处的读取地址储存作为所述错误位置信息。
4.如权利要求3所述的半导体存储器件,其中,所述错误检测单元还包括:
错误信息输出单元,适用于输出所述错误判断信号和所述错误位置信息。
5.如权利要求3所述的半导体存储器件,其中,在响应于所述错误判断信号而判断出的所述修复操作时段期间,所述修复操作单元利用所述冗余区来替换用于储存所述选中的数据的所述正常区。
6.如权利要求1所述的半导体存储器件,其中,所述冗余区包括第一冗余区和第二冗余区。
7.如权利要求6所述的半导体存储器件,其中,在所述修复操作时段期间,如果所述存储区是所述正常区,则所述修复操作单元利用所述第一冗余区来替换所述存储区,而如果所述存储区是所述第一冗余区,则所述修复操作单元利用所述第二冗余区来替换所述存储区。
8.如权利要求2所述的半导体存储器件,还包括:
写入错误发生判断单元,适用于:基于所述输入数据的第二比特来判断在所述输入数据的第一比特中是否发生错误,以及产生写入错误判断信号。
9.如权利要求8所述的半导体存储器件,其中,所述写入操作单元响应于所述写入错误判断信号而将所述输入数据储存在所述存储器单元阵列上。
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