[发明专利]半导体存储器件和包括其的半导体系统有效

专利信息
申请号: 201410160427.8 申请日: 2014-04-21
公开(公告)号: CN104517654B 公开(公告)日: 2019-06-25
发明(设计)人: 具岐峰 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C29/44 分类号: G11C29/44
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 俞波;周晓雨
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 冗余区 正常区 半导体存储器件 错误位置信息 错误信息数据 储存 替换 存储器单元阵列 错误检测单元 错误检测结果 修复 半导体系统 操作单元 操作时段 错误信息 正常数据 响应 检测
【说明书】:

一种半导体存储器件,包括:存储器单元阵列,其包括用于储存多个数据的正常区、用于储存分别与多个正常数据相对应的多个错误信息数据的错误信息区、以及用于替换正常区的冗余区;错误检测单元,适用于响应于所述多个错误信息数据而检测所述多个数据上的错误,以及基于错误检测结果来储存指示正常区和冗余区中的具有错误的数据的存储区的错误位置信息;以及修复操作单元,适用于在修复操作时段期间,利用冗余区来替换由错误位置信息指示的存储区。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年10月7日提交的申请号为10-2013-0119170的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种半导体设计技术,更具体而言,涉及一种用于对存储器单元执行修复操作的半导体存储器件和包括其的半导体系统。

背景技术

通常,随着半导体系统的容量增大,半导体系统的可靠性和良率可能恶化。因而,半导体系统通过对数据加入错误校正码(ECC)以及修复缺陷存储器单元的错误来改善其可靠性和良率。

图1是说明典型的半导体存储器件的ECC电路的框图。参见图1,典型的半导体存储器件包括:存储器单元阵列100、数据输入/输出单元140以及ECC电路120。

存储器单元阵列100储存输入数据DATA和输出数据DATA,它们被储存在存储器单元阵列100上。

数据输入/输出单元140接收从外部设备(未示出)提供的输入数据DATA,并且将输入数据DATA传送至存储器单元阵列100。数据输入/输出单元140将从存储器单元阵列100输出的数据DATA输出至外部设备。

ECC电路120判断储存在存储器单元阵列100上的数据DATA是否发生错误,并且在数据DATA从存储器单元阵列100输出至外部设备时校正错误。ECC电路120还判断在输入至存储器单元阵列100的输入数据DATA中是否发生错误,并且校正错误。因而,可以改善输入至半导体存储器件/从半导体存储器件输入的数据DATA的可靠性。

然而,由于将ECC电路120增加至半导体存储器件,所以半导体存储器件的面积增加。此外,由于对输入至存储器单元阵列100/从存储器单元阵列100输出的数据执行ECC电路的操作,如果在数据中发生错误,则在修复错误之后难以将数据与操作时钟同步。

发明内容

本发明的示例性实施例针对一种基于输出数据的错误发生来执行修复操作的半导体存储器件和半导体系统。

本发明的示例性实施例针对一种半导体系统,其用于修复输入至半导体存储器件/从半导体存储器件输出的数据的错误,同时将资源(即,逻辑电路或延迟电路)的使用最小化。

根据本发明的一个示例性实施例,一种半导体存储器件包括:存储器单元阵列,其包括用于储存多个数据的正常区、用于储存分别与所述多个数据相对应的多个错误信息数据的错误信息区、以及用于替换正常区的冗余区;错误检测单元,适用于响应于所述多个错误信息数据而检测所述多个数据上的错误,以及基于检测结果而储存指示正常区和冗余区中的具有错误的数据的存储区的错误位置信息;以及修复操作单元,适用于在修复操作时段期间利用冗余区来替换由错误位置信息指示的存储区。

根据本发明的一个示例性实施例,一种半导体存储系统包括:半导体控制器,适用于产生多个输入数据,每个输入数据包括数据以及用于判断数据上的错误发生的错误信息数据;以及半导体存储器件,适用于在写入操作时段期间储存所述多个输入数据,在读取操作时段期间响应于多个错误信息数据而检测多个数据上的错误发生并且储存指示具有错误的数据的存储区的错误位置信息,以及在修复操作时段期间修复由错误位置信息指示的存储区,其中,在读取操作时段期间,半导体控制器基于从半导体存储器件传送的错误发生检测结果来控制半导体存储器件的修复操作时段。

附图说明

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