[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成PMOS的伪栅极、伪栅极硬掩膜和偏移侧壁；

步骤S102：在所述半导体衬底上形成锗硅遮蔽层，并在所述锗硅遮蔽层上形成覆盖其位于PMOS区以外的部分的光刻胶层；

步骤S103：通过干法刻蚀在所述半导体衬底内形成位于所述PMOS的伪栅极两侧的碗状沟槽；

步骤S104：进行刻蚀后处理以去除所述干法刻蚀过程中所产生的大分子；

步骤S105：进行湿法刻蚀以在所述碗状沟槽的基础上形成Σ形沟槽；

步骤S106：在所述Σ形沟槽内形成锗硅层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103与所述步骤S104之间还包括步骤S1034：对所述锗硅遮蔽层进行灰化处理，并去除所述光刻胶层。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104与所述步骤S105之间还包括步骤S1045：对所述锗硅遮蔽层进行灰化处理，并去除所述光刻胶层。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中，所述刻蚀后处理所采用的气体包括N₂、O₂和H₂中的一种或其中两种以上的组合。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中，所述刻蚀后处理所采用的气体包括CF₄、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F、O₂、HCl、HBr、SO₂、He、CH₄中的一种或其中两种以上的组合。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中，所述刻蚀后处理的工艺条件为：功率为0～2000W，压力为0～200mtor，偏置射频电压为0～2000V，气体流速为0～500sccm。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104中，所述刻蚀后处理对反应气体的设置方案包括：

通入N₂，气体流速为100～400sccm，气体通入时间为10～120秒；

或，通入O₂，气体流速为100～300sccm，气体通入时间为10～120s；

或，通入H₂，气体流速为50～200sccm，气体通入时间为10～120s；

或，通入N₂和O₂，总的气体流速为100～500sccm，其中N₂和O₂的原子比大于1:2小于20:1；

或，通入N₂和H₂，总的气体流速为100～500sccm，其中N₂和H₂的原子比大于1:2小于20:1；

或，通入N₂、O₂和H₂，其中，总的气体流速为100～500sccm，并且，H₂的摩尔百分比小于5%。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105中，所述湿法刻蚀所采用的刻蚀液包括有机碱或无机碱。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105与所述步骤S106之间还包括步骤S1056：对所述Σ形沟槽进行预清洗。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1056中，所述预清洗所采用的清洗液包括氢氟酸。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S106中，在形成所述锗硅层的过程中所采用的原位锗硅选择性气体包括HCl和HBr中的至少一种。

12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S106之后还包括如下步骤：

步骤S107：形成主侧墙、源极和漏极、金属硅化物，进行应力临近技术处理；

步骤S108：形成层间介电层和金属栅极；

步骤S109：形成接触孔和金属层。