[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：

在一基底上形成一含硅导体层；

在该含硅导体层周围形成一介电层；

移除部分该介电层，以暴露该含硅导体层的一第一侧壁；

在该含硅导体层的部分表面上形成一遮蔽结构，该遮蔽结构至少暴露出该第一侧壁；

在该基底上形成一金属层，以覆盖未被该遮蔽结构覆盖的该含硅导体层；以及

进行一金属硅化工艺，以形成一硅化金属层。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，其中该遮蔽结构包括一顶遮蔽层，覆盖该含硅导体层的一顶面，以暴露该含硅导体层的该第一侧壁，其中该含硅导体层与该遮蔽结构的形成方法包括：

在该基底上形成一含硅导体材料层；

在该含硅导体材料层上形成一遮蔽材料层；以及

图案化该遮蔽材料层以及该含硅导体材料层，以形成该顶遮蔽层与该含硅导体层。

3.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，其中该遮蔽结构包括一遮蔽间隙壁，覆盖该含硅导体层的一第二侧壁，暴露该含硅导体层的该第一侧壁与一顶面，其中形成该含硅导体层与该遮蔽间隙壁的步骤包括：

在该基底上形成一含硅导体材料层；

进行一第一次图案化工艺，移除部分该含硅导体材料层，以形成该含硅导体层的一上部，暴露出该第二侧壁；

在该含硅导体层的该第二侧壁形成该遮蔽间隙壁；以及

进行一第二次图案化工艺，移除另一部分该含硅导体材料层，以形成该含硅导体层的一下部，暴露出该第一侧壁与一第三侧壁。

4.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，其中该遮蔽间隙壁的形成方法包括：

在该基底上形成一遮蔽材料层，以覆盖该含硅导体层的该上部的该顶面与该第二侧壁；以及

非等向性蚀刻该遮蔽材料层，以暴露出该含硅导体层的该上部的该顶面。

5.根据权利要求3所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，其中该遮蔽间隙壁的形成方法包括：

在移除部分该介电层之前，该介电层暴露出该含硅导体层的该顶面与该第二侧壁；

对该含硅导体层的该顶面与该第二侧壁进行一表面处理，以形成一保护层；以及

在移除部分该介电层时，同时移除部分该保护层，以暴露出该含硅导体层的该顶面与该第一侧壁，并在该第二侧壁上形成该遮蔽间隙壁。

6.根据权利要求5所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，其中该表面处理包括一等离子体处理，其中该等离子体处理通入的气体包括含氧气体、含氮气体或其组合。

7.一种半导体元件，其特征在于，其包括：

一含硅导体层；

一介电层，位于该含硅导体层周围；

一硅化金属层，位于该含硅导体层上；以及

一遮蔽结构，覆盖部分该硅化金属层；

其中，所述硅化金属层的上部宽度小于下部宽度。

8.根据权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，其中该遮蔽结构包括一顶遮蔽层，覆盖该硅化金属层的一顶面。

9.根据权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，其中该遮蔽结构包括一遮蔽间隙壁，暴露该硅化金属层的一第一侧壁与一顶面，覆盖该硅化金属层的一第二侧壁。

10.根据权利要求7所述的半导体元件，其特征在于，其中该遮蔽结构的材料包括氧化硅、氮化硅或其组合。