[发明专利]基于碳量子点的载流子注入式蓝光和白光LED及制作方法无效
| 申请号： | 201410161181.6 | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN103915553A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 张宇;王鹤林;张晓宇;于伟泳;王一丁;张铁强;王国光 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/48;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 朱世林;王寿珍 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 量子 载流子 注入 光和 白光 led 制作方法 | ||
1.基于碳量子点的载流子注入式蓝光和白光LED及制作方法，其特征在于以3.3nm碳量子点作为发光层，通过控制器件的电子迁移层和阴极的厚度及其材料，通过载流子注入发光层，从而实现碳量子点的电致发光；其结构包括：导电玻璃，即ITO薄膜的玻璃衬底（1），PEDOT:PSS空穴注入层（2），Poly-TPD空穴迁移层（3），碳量子点发光层（4），TPBi或ZnO电子迁移层（5），LiF/Al或Al阴极（6）。
2.基于碳量子点的载流子注入式蓝光和白光LED及制作方法，其特征在于基于碳量子点的载流子注入式LED的具体制备方法如下：
第一步、制备碳量子点；
第二步、将带有ITO薄膜的玻璃衬底（1），进行超声净洗和紫外线处理；
第三步、通过旋涂的方法将PEDOT:PSS溶液沉积在ITO电极上；
第四步、将满足能级匹配要求的空穴迁移层旋涂在PEDOT:PSS空穴注入层（2）上；
第五步、将碳量子点溶液旋涂在空穴迁移层（3）上；
第六步、加热退火后，通过热蒸镀或旋涂的方法，将满足能级匹配要求的电子迁移层（5）沉积到碳量子点薄膜（4）上；
第七步、在器件表面热蒸镀电极（6）。
3.根据权利要求1所述的基于碳量子点的载流子注入式蓝光和白光LED及制作方法，其特征在于基于碳量子点的载流子注入式蓝光LED的结构设计为：ITO薄膜的玻璃衬底、25nm PEDOT:PSS空穴注入层、40nm Poly-TPD空穴迁移层、20nm碳量子点发光层、5nm TPBi电子迁移层、5nm LiF和150nm Al双层电极。
4.根据权利要求1所述的基于碳量子点的载流子注入式蓝光和白光LED及制作方法，其特征在于基于碳量子点的载流子注入式白光LED的结构设计为：ITO薄膜的玻璃衬底、25nm PEDOT:PSS空穴注入层、40nm Poly-TPD空穴迁移层、20nm碳量子点发光层、10nm ZnO电子迁移层、150nm Al阴极。
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