[发明专利]基于碳量子点的载流子注入式蓝光和白光LED及制作方法无效

专利信息
申请号: 201410161181.6 申请日: 2014-04-21
公开(公告)号: CN103915553A 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 张宇;王鹤林;张晓宇;于伟泳;王一丁;张铁强;王国光 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: H01L33/50 分类号: H01L33/50;H01L33/48;H01L33/06;H01L33/00
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 朱世林;王寿珍
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 基于 量子 载流子 注入 光和 白光 led 制作方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及新型材料在照明领域的应用。提出采用碳量子点作为LED发光层,利用碳量子点具有多种发光中心的特性,通过结构设计,给出基于碳量子点载流子注入式蓝光和白光LED结构及其制作方法。

背景技术

近几年,随着全球能源危机以及人们节能环保意识的逐步增强,大量节能环保材料走进了我们的生活。发光二极管(Light-Emitting Diode,简写LED)具有耗能低、产热少、寿命长等优点,正逐步取代传统的照明材料,成为新一代的照明光源。

传统LED主要使用稀土材料或有机材料作为发光材料。半导体量子点是一种新型的LED发光材料,与传统的LED发光材料相比,具有发光效率更高、使用寿命更长、颜色的纯度更好等优势。相较于传统发光材料制备的LED,量子点LED具有发光颜色可调性,通过调整量子点的尺寸或激发条件,从而实现发光波长的调整,使得量子点的发光波长可覆盖所有可见光波段。然而,如今应用于量子点LED的主要是重金属元素量子点,如硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)、硒化铅(PbSe)、锑化汞(HgTe)、硫化铅(PbS)等。显现出价格昂贵、毒性大、污染环境等缺点,限制了它的普及应用。

为了克服以上所述问题,本文提出碳量子点(Carbon Quantum Dots,简写CDs)作为LED的发光层材料,其不但具备传统半导体量子点的发光性能,如光饱和度高、寿命长等优势,而且具备无毒、制备成本低、绿色环保等独有优势,此外,碳量子点是一种依赖于激发波长的发光层材料,具有多种发光中心。

经查找发现,目前已有使用碳量子点作为荧光粉发光材料的报道,例如专利201310030487.3和201310030487.3中将碳量子点荧光粉涂覆在蓝光LED(如氮化镓LED)上,使碳量子点荧光粉光致发光,专利201310267381.5将碳量子点发光粉末置于发光层上或与发光层中发光材料混合,通过发光层中其它发光材料发光作为碳量子点激发源,实现碳量子点荧光粉末发光。但是,使用碳量子点作为LED电致发光层材料,通过结构设计,实现载流子注入式蓝光和白光LED及制作方法,国内外未见有相关报道。

发明内容

为了克服传统量子点LED材料的重金属污染、毒性大、价格昂贵等缺点,本发明提出采用无毒环保、均匀性好、色饱和度高、成本低廉的碳量子点作为LED发光材料,设计基于碳量子点的载流子注入式蓝光和白光LED。

本发明是采用如下技术方案实现的,结合附图说明如下:

1、基于碳量子点的载流子注入式蓝光和白光LED及制作方法,以3.3nm碳量子点作为发光层,通过控制器件的电子迁移层和阴极的厚度及材料,实现载流子注入发光层,从而得到碳量子点的电致发光。其结构包括:导电玻璃(Indium Tin Oxides,简写ITO)薄膜的衬底1;聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate),简写PEDOT:PSS)空穴注入层2;聚三苯胺(Poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzi,简写Poly-TPD))空穴迁移层3;碳量子点发光层4;氧化锌(ZnO)纳米晶或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(1,3,5-Tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzene,简写TPBi))电子迁移层5;氟化锂和铝双层电极(LiF/Al)或铝电极(Al)阴极6。

2、基于碳量子点的载流子注入式蓝光和白光LED及制作方法,基于碳量子点的载流子注入式LED的具体制备方法如下:

第一步、制备碳量子点;

第二步、将带有ITO薄膜的玻璃衬底1,进行超声净洗和紫外线处理;

第三步、通过旋涂的方法将PEDOT:PSS溶液沉积在ITO电极上;

第四步、将满足能级匹配要求的空穴迁移层旋涂在PEDOT:PSS空穴注入层2上;

第五步、将碳量子点溶液旋涂在空穴迁移层3上;

第六步、加热退火后,通过热蒸镀或旋涂的方法,将满足能级匹配要求的电子迁移层5沉积到碳量子点薄膜4上;

第七步、在器件表面热蒸镀电极6。

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