[发明专利]一种引线框架的封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410162691.5 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104617075B | 公开（公告）日： | 2017-12-15 |
| 发明（设计）人： | 廖宗仁 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所11313 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 引线 框架 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种引线框架的封装结构，包含：
一裸晶，包含一表面；
一介电层，设置于所述表面上；
至少一导电柱，穿透所述介电层并设置所述表面上；
至少一引线框架，设置于所述介电层上，所述至少一导电柱穿越所述至少一引线框架且与所述至少一引线框架间相距一间隔；以及
至少一锡球，填充所述间隔，以电性连接所述至少一导电柱及所述至少一引线框架。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其中所述至少一引线框架包含一连接部与所述至少一锡球电性连接，所述连接部环绕所述至少一导电柱，以形成所述间隔。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其中所述至少一引线框架另包含一支撑部与所述连接部连接且所述支撑部垂直于所述连接部。
4.根据权利要求1所述的封装结构，进一步包含一封装层包覆所述裸晶。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其中所述至少一引线框架包含一支撑部，所述支撑部穿透所述封装层并电性连接至少一锡球。
6.根据权利要求5所述的封装结构，进一步包含一金属层，其中所述至少一引线框架另包含一连接部，所述金属层设置于所述连接部与所述封装层之间，且所述连接部与所述至少一锡球电性连接，所述连接部环绕所述至少一导电柱。
7.根据权利要求6所述的封装结构，其中所述连接部与所述介电层间有一间隙。
8.一种多层积体电路结构，包含：
一第一封装结构，为如权利要求1所述的封装结构；以及
一第二封装结构，为如权利要求1所述的封装结构；
其中所述第一封装结构的所述至少一引线框架电性连接所述第二封装结构的所述至少一引线框架。
9.一种封装结构的制造方法，包含：
提供一裸晶，包含一表面；
形成至少一导电柱于所述表面上；
形成一介电层于所述表面上，其中所述至少一导电柱穿透所述介电层；
设置至少一引线框架于所述介电层上，其中所述至少一导电柱穿越所述至少一引线框架且与所述至少一导电柱间相距一间隔；以及设置一锡球，其中所述锡球填充所述间隔。
10.根据权利要求9所述的制造方法，进一步包含步骤：电性连接所述至少一锡球、所述至少一导电柱及所述至少一引线框架。
11.根据权利要求9所述的制造方法，其中所述至少一引线框架包含一连接部并进一步包含步骤：电性连接所述连接部与所述至少一锡球及环绕所述连接部于所述至少一导电柱。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中所述至少一引线框架另包含一支撑部，所述支撑部与所述连接部连接且所述支撑部垂直于所述连接部。
13.根据权利要求12所述的制造方法，进一步包含步骤：以一封装层包覆所述裸晶。
14.根据权利要求13所述的制造方法，进一步包含步骤：设置一金属层于所述介电层上。
15.根据权利要求14所述的制造方法，进一步包含步骤：移除所述封装层以暴露出所述支撑部。
16.根据权利要求15所述的制造方法，进一步包含步骤：设置至少一锡球于所述暴露出的支撑部上。
17.根据权利要求15所述的制造方法，移除所述封装层的方法包含蚀刻或研磨所述封装层。
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