[发明专利]一种引线框架的封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及一种封装结构，更具体地说，涉及一种引线框架的封装结构。

背景技术

目前的晶圆级封装只能做单面的线路重布层(RDL)及球下冶金层(UBM)。因此当要形成3D积体电路的结构时，就会造成问题。此外，单面的线路重布层(RDL)及球下冶金层(UBM)无法用来进行晶圆对晶圆或晶圆对裸晶之间的结合(bonding)。

发明内容

本公开提供一种引线框架的封装结构，其包含一裸晶、一介电层、至少一导电柱、至少一引线框架以及至少一锡球。

该裸晶包含一表面，而该介电层设置于该表面上。该至少一导电柱穿透该介电层并设置该表面上。该至少一引线框架(lead frame)，设置于该介电层上并与该导电柱间有一间隔。该至少一锡球填充该间隔，并以电性连接该至少一导电柱及该至少一引线框架。

本公开另提供一种多层积体电路结构，其包含一第一封装结构及一第二封装结构。该第一封装结构及该第二封装结构分别包含各自的裸晶、介电层、至少一导电柱、至少一引线框架以及至少一锡球。而该第一封装结构的该至少一引线框架电性连接该第二封装结构的该至少一引线框架，而完成3D积体电路结构。

本公开亦提供一种封装结构的制造方法，包含下列步骤：

提供一裸晶，包含一表面；

形成一至少一导电柱于该表面上；

形成一介电层于该表面上，其中该至少一导电柱穿透该介电层；

设置至少一引线框架于该介电层上，其中该至少一引线框架与该导电柱间有一间隔；以及

设置一锡球，其中该锡球填充该间隔。

上文已相当广泛地概述本公开的技术特征，以使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的申请专利范围标的的其他技术特征将描述于下文。本领域技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其他结构或制程而实现与本公开相同的目的。本领域技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的申请专利范围所界定的本公开的精神和范围。

附图说明

下列图示系并入说明书内容的一部分，以供阐述本公开的各种实施例，进而清楚解释本公开的技术原理。

为了使本公开的叙述更加详尽与完备，可参照下列描述并配合下列图式，其中类似的元件符号代表类似的元件。然以下实施例中所述，仅用以说明本公开，并非用以限制本公开的范围。

图1为根据本公开的一实施例的裸晶及至少一导电柱设置于其上的示意图；

图2为根据本公开的一实施例的介电层设置于裸晶的表面的示意图；

图3为根据本公开的一实施例的引线框架设置于介电层上的示意图；

图4为根据本公开的一实施例的引线框架与至少一导电柱具有间隔的仰视图；

图5为根据本公开的一实施例的引线框架环绕至少一导电柱具有间隔的剖面图；

图6为根据本公开的一实施例的至少一锡球填充间隔的仰视图；

图7为根据本公开的一实施例的复数个引线框架的封装结构堆迭的示意图；

图8为根据本公开的一实施例的复数个引线框架的封装结构堆迭并用封装层封装的示意图；

图9为根据本公开的一实施例的基层的示意图；

图10为根据本公开的一实施例的基层及金属层的示意图；

图11为根据本公开的一实施例的设置光阻于金属层上以供显影蚀刻的示意图；

图12为根据本公开的一实施例的金属层经蚀刻而形成孔洞的示意图；

图13为根据本公开的一实施例的移除图案光阻的示意图；

图14为根据本公开的一实施例的裸晶翻转设置于蚀刻后的金属层的示意图；

图15为根据本公开的一实施例的引线框架设置于金属层下的示意图；

图16为根据本公开的一实施例的封装层设置于裸晶上的示意图；图17为根据本公开的一实施例的设置引线框架于环绕复数个导电柱的仰视图；

图18为根据本公开的一实施例的去除部份金属层并移除裸晶封装层背面设置锡球的示意图；

图19为根据本公开的一实施例的锡球填充复数个间隔及覆盖导电柱的仰视图；以及

图20为根据本公开的一实施例的复数个如图18所示的封装结构堆迭的示意图。

具体实施方式

本公开的引线框架的封装结构的制造方法包含下列所述的各种图式的步骤，然而并不限于此，亦可因应不同的设计而省略或修正特定步骤。

如图1所示，提供一裸晶10，而裸晶10包含一表面11。