[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410162956.1 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104218099B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 藤井秀纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化膜 半导体装置 二极管 沟槽电极 衬底 温感 半导体 内部延伸 灵敏度 内隔 填入 制造 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
半导体衬底；
第1绝缘膜，其形成在所述半导体衬底的正面上；
温感二极管，其形成在所述第1绝缘膜上；
第2绝缘膜，其形成在从所述半导体衬底的所述正面向内部延伸的沟槽的内壁；以及
沟槽电极，其在所述沟槽内形成于所述第2绝缘膜上，并与所述温感二极管连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述温感二极管及所述沟槽电极由多晶硅或非晶硅构成。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2绝缘膜的厚度比所述第1绝缘膜的厚度薄。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
该半导体装置还具有半导体元件，该半导体元件形成在所述半导体衬底上，
所述沟槽电极与所述温感二极管相比，配置在所述半导体元件的附近。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述温感二极管具有n+型层、p+型层及n－型层，
所述沟槽电极与所述n+型层连接。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述温感二极管具有n+型层、p+型层及n－型层，
所述沟槽电极与p+型层连接。
7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述温感二极管具有n+型层、p+型层及n－型层，
所述沟槽电极与所述n－型层连接。
8.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，
所述沟槽电极与所述n+型层一体地形成。
9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
所述沟槽电极与所述p+型层一体地形成。
10.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
所述沟槽电极与所述n－型层一体地形成。
11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述温感二极管具有n+型层、p+型层及n－型层，
所述沟槽电极具有：与所述n+型层一体地形成的第1沟槽电极；与所述p+型层一体地形成的第2沟槽电极；以及与所述n－型层一体地形成的第3沟槽电极。
12.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述温感二极管具有n+型层、p+型层及n－型层，
所述沟槽电极配置在所述p+型层和所述n－型层之间的p+n－结的正下方，
所述p+n－结延伸至所述沟槽电极内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410162956.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
