[发明专利]一种紫外发光二极管

权利要求书

1.一种紫外发光二极管，其特征在于：包括由下至上依次设置的衬底(1)、AlN缓冲层(2)、n型AlGaN层(3)、第一金属层(4)、多重量子阱层(5)、第二金属层(6)、电子阻挡层(7)和p型层(8)，在p型层(8)的上表面的一部分区域设置一个p型金属电极(9)，第一金属层(4)设置在n型AlGaN层(3)的上表面的一部分区域，在n型AlGaN层(3)的上表面的另一部分区域设置一个n型金属电极(10)。

2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于：所述第一金属层(4)和第二金属层(6)由金属纳米颗粒结构构成。

3.根据权利要求2所述的紫外发光二极管，其特征在于：通过调节金属纳米颗粒结构的尺寸、金属纳米颗粒结构阵列的排列密度和形状尺寸，对不同发光波长的深紫外发光二极管的内量子效率进行优化。

4.根据权利要求2所述的紫外发光二极管，其特征在于：所述第一金属层(4)和第二金属层(6)为周期性分布或非周期性分布的金属纳米球。

5.根据权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于：所述第一金属层(4)和第二金属层(6)通过真空电子束蒸镀方法分别制备在n型AlGaN层(3)和多重量子阱层(5)的上表面上。

6.根据权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于：所述多重量子阱层(5)的第一层垒的厚度为10～100nm。

7.根据权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于：所述p型层(8)为p型AlGaN、p型GaN或p型InAlGaN。

8.根据权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于：所述电子阻挡层(7)为AlGaN、InAlGaN或超晶格结构。