[发明专利]碳纳米管复合膜

权利要求书

1.一种碳纳米管复合膜，其包括：多根碳纳米管和多个半导体颗粒，其特征在于，所述多根碳纳米管为由金属性碳纳米管与半导体性碳纳米管组成的混合型碳纳米管；所述半导体颗粒均匀分布于所述多根碳纳米管中，所述半导体颗粒与碳纳米管相互连接而形成一导电网络，所述半导体颗粒为一半导体片，该半导体片为由多个半导体分子层组成的层状结构，其层数为10～20，所述半导体片的面积为0.1平方微米～5平方微米，所述半导体片的厚度为2纳米～20纳米。

2.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜，其特征在于，所述半导体颗粒与所述碳纳米管接触而电连接。

3.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜，其特征在于，所述碳纳米管的分布密度为5根每平方微米～15根每平方微米。

4.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜，其特征在于，所述碳纳米管为单壁碳纳米管。

5.如权利要求4所述的碳纳米管复合膜，其特征在于，所述碳纳米管为纯的半导体性碳纳米管。

6.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜，其特征在于，所述碳纳米管呈无序分布，部分的碳纳米管通过范德华力相互吸引、缠绕或搭接。

7.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜，其特征在于，所述半导体颗粒的材料为MoS₂、WS₂、WSe₂、WTe₂、BN、MnO₂、ZnO、MoSe₂、MoTe₂、TaSe₂、NiTe₂、Bi₂Te₃中的一种或其组合。

8.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜，其特征在于，所述半导体颗粒的分布密度为5个每平方微米～10个每平方微米。

9.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜，其特征在于，所述半导体片在所述碳纳米管复合膜中所占的面积为30％～50％。

10.如权利要求1所述的碳纳米管复合膜，其特征在于，所述半导体片的面积为0.1平方微米～3平方微米，所述半导体片的厚度为2纳米～10纳米。

11.一种碳纳米管复合膜，其包括：多根碳纳米管和多个半导体颗粒，其特征在于，所述多根碳纳米管为由金属性碳纳米管与半导体性碳纳米管组成的混合型碳纳米管；所述半导体颗粒均匀分布于所述多根碳纳米管中，所述半导体颗粒与碳纳米管同时参与导电的过程，所述半导体颗粒的分布密度为5个每平方微米～10个每平方微米。