[发明专利]层叠封装体及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410168415.X 申请日: 2014-04-24
公开(公告)号: CN104347593B 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 金锺薰;裵汉儁 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L23/538 分类号: H01L23/538;H01L21/768
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 俞波;周晓雨
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 层叠 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种层叠封装体,包括:

第一芯片;以及

第二芯片,层叠在所述第一芯片上,

其中,所述第一芯片和所述第二芯片具有相同的结构,所述第一芯片和所述第二芯片的每个包括芯片本体、穿过所述芯片本体的穿通电极、设置在所述芯片本体的底表面上的绝缘层和设置在所述芯片本体的顶表面上的凸块,

其中,所述第二芯片的凸块穿过所述第一芯片的绝缘层以穿入所述第一芯片的穿通电极,以及

其中,所述第一芯片的绝缘层完整覆盖在所述第二芯片的凸块之间的所述第二芯片的芯片本体的顶表面。

2.如权利要求1所述的层叠封装体,其中,每个凸块的上部的水平横截面积小于其下部的水平横截面积。

3.如权利要求1所述的层叠封装体,其中,每个凸块具有圆锥体形状。

4.如权利要求1所述的层叠封装体,其中,所述第一芯片的每个穿通电极包括具有-40摄氏度至400摄氏度的低熔化温度的导电材料。

5.如权利要求1所述的层叠封装体,其中,所述第一芯片的每个穿通电极由选自镓(Ga)材料、铟(In)材料、锡(Sn)材料、银(Ag)材料、铜(Cu)材料、汞(Hg)材料、铋(Bi)材料、铅(Pb)材料、金(Au)材料、锌(Zn)材料、钾(K)材料、钠(Na)材料、镁(Mg)材料、铝(Al)材料及其组合之中的材料形成。

6.如权利要求1所述的层叠封装体,其中,所述第一芯片的每个穿通电极具有一致的直径。

7.如权利要求1所述的层叠封装体,其中,所述第一芯片和所述第二芯片的每个对应于包括多个器件的晶片。

8.如权利要求1所述的层叠封装体,其中,所述绝缘层是非导电薄膜或非导电膏体。

9.如权利要求1所述的层叠封装体,其中,所述绝缘层是氧化硅层或氮化物层。

10.如权利要求1所述的层叠封装体,其中,每个凸块具有不同的高度。

11.一种制造层叠封装体的方法,所述方法包括以下步骤:

提供具有相同结构的第一芯片和第二芯片,所述第一芯片和所述第二芯片的每个包括芯片本体、穿过所述芯片本体的穿通电极、设置在所述芯片本体的完整底表面上的绝缘层和设置在所述芯片本体的顶表面上的凸块;

将所述第一芯片和所述第二芯片彼此垂直地对准;以及

将对准的所述第一芯片和所述第二芯片加热和施压,使得所述第二芯片的凸块穿过所述第一芯片的绝缘层,以穿入所述第一芯片的穿通电极,以及

其中,将所述芯片加热和施压的步骤被执行直到所述第二芯片的芯片本体的顶表面直接附接至所述第一芯片。

12.如权利要求11所述的方法,其中,所述凸块被形成为使得每个凸块的上部的水平横截面积小于其下部的水平横截面积。

13.如权利要求11所述的方法,其中,每个凸块被形成为具有圆锥体形状。

14.如权利要求11所述的方法,其中,所述穿通电极由具有-40摄氏度至400摄氏度的低熔化温度的导电材料形成。

15.如权利要求11所述的方法,其中,所述穿通电极被形成为具有一致的直径。

16.如权利要求11所述的方法,其中,所述绝缘层由非导电薄膜或非导电膏体形成。

17.如权利要求11所述的方法,其中,所述绝缘层由氧化硅层或氮化物层形成。

18.如权利要求11所述的方法,其中,所述第一芯片和所述第二芯片的每个对应于包括多个器件的晶片。

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