[发明专利]层叠封装体及其制造方法

说明书

提供了层叠封装体。所述层叠封装体包括第一芯片和第二芯片。第一芯片包括：第一芯片本体、穿过第一芯片本体的第一穿通电极、以及设置在第一芯片本体的底表面上的绝缘层。第二芯片包括：第二芯片本体和设置在第二芯片本体的顶表面上的凸块。第一芯片和第二芯片垂直地层叠，使得凸块穿过绝缘层以穿入第一穿通电极，并且第二芯片本体的顶表面直接接触绝缘层。还提供了相关的制造方法、电子系统和存储卡。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年7月25日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2013-0088355的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的实施例涉及半导体封装体及其制造方法，更具体而言，涉及层叠封装体及其制造方法。

背景技术

在电子产业中，随着更小、更快、多功能以及更高性能的便携式电子产品的发展，越来越需要小的、薄的以及轻的半导体封装体。通常，半导体封装体包括单个半导体芯片。然而，近来已经研究了层叠封装体以实现高性能的电子系统。每个层叠封装体可以包括具有不同功能的多个半导体芯片。

为了制造层叠封装体，可以形成穿过每个半导体芯片的穿通电极(在一些情况下，被称作为“穿通硅通孔”)，并且半导体芯片可以被层叠，使得半导体芯片的穿通电极垂直地彼此对准，以将半导体芯片电耦接。在穿通电极用于半导体封装体的情况下，互连线(例如，接线)的长度可以显著地减少以改善半导体封装体的电学特性。另外，如果穿通电极被应用于半导体封装体中，则半导体封装体(例如，层叠封装体)可以被形成为具有紧凑的尺寸。

发明内容

示例性实施例针对层叠封装体及其制造方法。

根据一个实施例，一种层叠封装体包括第一芯片和第二芯片。第一芯片包括：第一芯片本体、穿过第一芯片本体的第一穿通电极、以及设置在第一芯片本体的底表面上的绝缘层。第二芯片包括：第二芯片本体和设置在第二芯片本体的顶表面上的凸块。第一芯片和第二芯片被垂直地层叠，使得凸块穿过绝缘层以进入第一穿通电极。

根据一个实施例，一种层叠封装体包括：衬底、第一芯片和第二芯片。第一芯片层叠在衬底上。第一芯片包括：第一芯片本体、穿过第一芯片本体的第一穿通电极、以及设置在第一芯片本体的底表面上的绝缘层。第二芯片层叠在与衬底相对的绝缘层上。第二芯片包括：第二芯片本体和设置在第二芯片本体的顶表面上的凸块。第一芯片和第二芯片垂直地层叠，使得凸块穿过绝缘层以穿入第一穿通电极。第二芯片本体的顶表面直接接触绝缘层。

根据一个实施例，一种制造层叠封装体的方法包括提供多个芯片。每个芯片被形成为包括芯片本体、穿过芯片本体的穿通电极、设置在芯片本体的底表面上的绝缘层、以及设置在芯片本体的顶表面上的凸块。芯片彼此垂直地对准。对准的芯片被加热并且施压，使得芯片中的上部芯片的凸块穿过芯片中的下部芯片的绝缘层，以穿入下部芯片的穿通电极。

根据另一个实施例，一种电子系统包括：存储器和经由总线与存储器耦接的控制器。存储器或控制器包括第一芯片和第二芯片。第一芯片包括：第一芯片本体、穿过第一芯片本体的第一穿通电极、以及设置在第一芯片本体的底表面上的绝缘层。第二芯片包括：第二芯片本体和设置在第二芯片本体的顶表面上的凸块。第一芯片和第二芯片垂直地层叠，使得凸块穿过绝缘层以穿入第一穿通电极，并且第二芯片本体的顶表面直接接触绝缘层。

根据一个实施例，一种电子系统包括：接口、经由总线与接口耦接的存储器、以及经由总线与接口和存储器耦接的控制器。存储器或控制器包括第一芯片和第二芯片。第一芯片包括：第一芯片本体、穿过第一芯片本体的第一穿通电极、以及设置在第一芯片本体的底表面上的绝缘层。第二芯片包括：第二芯片本体和设置在第二芯片本体的顶表面上的凸块。第一芯片和第二芯片垂直地层叠，使得凸块穿过绝缘层以穿入第一穿通电极，并且第二芯片本体的顶表面直接接触绝缘层。