[发明专利]鳍片式场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种鳍片式场效应晶体管的制造方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上依次形成第一掩模层和图案化的第二掩模层；

在第二掩模层上形成图案化的第三掩模层，其中第三掩模层的图案对应于鳍片式场效应晶体管的鳍状件；

对半导体衬底上未受到第三掩模层保护的区域进行刻蚀，从而去除该区域中的第一掩模层和第二掩模层，并且在半导体衬底上的对应部分中形成第一沟槽；

去除第三掩模层；

对第一掩模层进行刻蚀，然后去除第二掩模层；

对整个半导体衬底进行刻蚀，从而形成鳍片式场效应晶体管的鳍状件以及鳍状件之间的第二沟槽，同时第一沟槽被进一步加深使得第一沟槽深度大于第二沟槽的深度；

形成鳍片式场效应晶体管，其中各鳍片式场效应晶体管之间通过第一沟槽中的电介质材料彼此隔离，鳍片式场效应晶体管中各个鳍状件之间通过第二沟槽中的电介质材料彼此隔离。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底为P型硅衬底，晶向为100。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一掩模层为硬掩膜层。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一掩模层的材料为氮化硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二掩模层为硬掩膜层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第三掩模层为光致抗蚀剂层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中利用第一掩模层的厚度、刻蚀过程对第一掩模层和半导体衬底的选择性刻蚀速率、以及刻蚀时间来控制所述第一沟槽的深度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中形成鳍片式场效应晶体管的步骤还包括在半导体衬底中形成N阱和P阱，其中N阱和P阱的边界位于第一沟槽下方并且与第一沟槽的中间对齐。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成鳍片式场效应晶体管的步骤还包括通过离子注入在半导体衬底中形成N阱和P阱，所述离子注入的能量范围是25KeV至180KeV。

10.根据权利要求1所述的方法，其中形成鳍片式场效应晶体管的步骤还包括通过离子注入在半导体衬底中形成N阱和P阱，所述离子注入的剂量小于10¹⁴/cm²。