[发明专利]一种功率器件的背面buffer层制作方法

权利要求书

1.一种功率器件的背面buffer层制作方法，所述功率器件包括依次在单晶硅片N-层背面设置的buffer层、外延N+层和减薄区域，依次在单晶硅片N-层正面设置的金属电极、钝化层和氧化层，其特征在于，外延N+层在功率器件正面热过程作用下向单晶硅片N-层进行推结形成buffer层，所述方法包括下述步骤：

(1)单晶硅片处理：对单晶硅片背面进行抛光和清洗，形成单晶硅片N-层；

(2)形成外延N+层：通过外延的方式在单晶硅片的背面形成外延N+层，浓度要求在10¹⁸cm^-3以上，以确保在背面金属淀积时形成欧姆接触，在背面减薄及正面热过程会形成浓度梯度双重作用下，减薄区域表面浓度能形成欧姆接触；

(3)正面工艺：完成全部正面工艺，从激光打标到终端钝化完成，正面工艺加工过程中的热过程同时对外延N+层进行推结形成buffer层；

(4)背面减薄：正面工艺同时会造成背面表面残留副产物，氧化层影响背面金属工艺的过程，对背面进行减薄，背面减薄15um，去掉正面工艺加工过程中背面形成的副产物，露出新鲜硅层，通过硅腐蚀液进行背面腐蚀，用于边缘倒角及去除背面减薄时产生的应力；

(5)背面金属；形成背面金属，形成Al/Ti/Ni/Ag或Ti/Ni/Ag背面金属电极。

2.如权利要求1所述的功率器件的背面buffer层制作方法，其特征在于，所述步骤(1)中，单晶硅片为3300V以上材料的单晶硅片。

3.如权利要求1所述的功率器件的背面buffer层制作方法，其特征在于，所述步骤(2)中，减薄区域厚度为20-100um。

4.如权利要求1所述的功率器件的背面buffer层制作方法，其特征在于，所述步骤(3)中，正面工艺都包括通过氧化，光刻，刻蚀，注入，推结形成限定区域掺杂，通过金属蒸发或溅射配合光刻、刻蚀与合金形成正面金属电极，通过涂覆或淀积，并进行光刻和刻蚀形成钝化层。