[发明专利]一种FinFET器件及其制造方法、电子装置在审
| 申请号： | 201410171113.8 | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105097515A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 赵海;陈林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种FinFET器件的制造方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个鳍片，在所述鳍片的顶部形成有硬掩膜层；
形成衬垫氧化物层，以覆盖所述半导体衬底的表面、所述鳍片的侧壁以及所述硬掩膜层的侧壁和顶部；
形成覆盖所述衬垫氧化物层的缓冲层，以避免后续实施的工艺对所述鳍片的高度和特征尺寸造成损失；
沉积隔离材料层，以完全填充所述鳍片之间的间隙；
实施高温退火，以使所述隔离材料层致密化，同时，所述缓冲层发生氧化转变为所述衬垫氧化物层，从而保护所述鳍片的表面不产生氧化，避免引起所述鳍片的高度和特征尺寸的损失；
执行化学机械研磨，直至露出所述硬掩膜层的顶部；
去除所述硬掩膜层和部分所述隔离材料层，以露出所述鳍片的部分。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述鳍片的宽度全部相同，或者所述鳍片分为具有不同宽度的多个鳍片组。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述鳍片的工艺步骤包括：在所述半导体衬底上形成硬掩膜层；图案化所述硬掩膜层，形成用于蚀刻所述半导体衬底以在其上形成所述鳍片的多个彼此隔离的掩膜；蚀刻所述半导体衬底以在其上形成所述鳍片。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，采用自对准双图案工艺实施所述图案化过程。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层包括自下而上层叠的氧化物层和氮化硅层。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用现场蒸汽生成工艺形成所述衬垫氧化物层，采用原子层沉积工艺形成所述缓冲层，采用具有可流动性的化学气相沉积工艺实施所述沉积。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述缓冲层为薄层多晶硅层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高温退火的温度为700℃-1000℃。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，实施所述硬掩膜层的去除包括：先采用湿法蚀刻去除所述硬掩膜层中的氮化硅层；再采用SiCoNi蚀刻去除所述硬掩膜层中的氧化物层。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用SiCoNi蚀刻去除部分所述隔离材料层。
11.一种采用权利要求1-10之一所述的方法制造的FinFET器件。
12.一种电子装置，所述电子装置包括权利要求11所述的FinFET器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
