[发明专利]高频电路用铜箔、覆铜板、印刷布线板、带载体的铜箔、电子设备及印刷布线板的制造方法

权利要求书

1.一种高频电路用铜箔，其是在铜箔的表面形成铜的一次粒子层后在该一次粒子层上形成了包含铜、钴及镍的3元系合金的二次粒子层的铜箔，其中，

粗化处理面的基于激光显微镜得到的三维表面积相对于二维表面积之比为2.0以上且小于2.2。

2.根据权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，

所述铜的一次粒子层的平均粒径为0.25～0.45μm，由包含铜、钴及镍的3元系合金形成的二次粒子层的平均粒径为0.35μm以下。

3.根据权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，

所述一次粒子层及二次粒子层为电镀层。

4.根据权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，

所述二次粒子为在所述一次粒子上生长的1个或多个树枝状的粒子、或者在所述一次粒子上生长的正常镀层。

5.根据权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，

所述一次粒子层及二次粒子层的粘接强度为0.80kg/cm以上。

6.根据权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，

所述一次粒子层及二次粒子层的粘接强度为0.90kg/cm以上。

7.根据权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，

在所述二次粒子层上形成有合金层及铬酸盐层中的任意一者或两者，

所述合金层包含Ni和选自Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As及Ti中的一种以上的元素。

8.根据权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，

在所述二次粒子层上依次形成有合金层及铬酸盐层中的任意一者或两者、和硅烷偶联层，

所述合金层包含Ni和选自Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As及Ti中的一种以上的元素。

9.根据权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，

在所述二次粒子层上形成有Ni－Zn合金层及铬酸盐层中的任意一者或两者。

10.根据权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，

在所述二次粒子层上依次形成有Ni－Zn合金层及铬酸盐层中的任意一者或两者、和硅烷偶联层。

11.根据权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，

在所述二次粒子层的表面具备树脂层。

12.根据权利要求8所述的高频电路用铜箔，其中，

在所述包含Ni和选自Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As及Ti中的一种以上的元素的合金层、所述铬酸盐层、或所述硅烷偶联层的表面，具备树脂层。

13.根据权利要求9所述的高频电路用铜箔，其中，

在所述Ni－Zn合金层的表面具备树脂层。

14.一种带载体的铜箔，其是在载体的一面或两面依次具有中间层、极薄铜层的带载体的铜箔，所述极薄铜层比所述载体薄，所述极薄铜层为权利要求1所述的高频电路用铜箔。

15.一种带载体的铜箔，其是在载体的一面或两面依次具有中间层、极薄铜层的带载体的铜箔，所述极薄铜层比所述载体薄，所述极薄铜层为权利要求2～10中任一项所述的高频电路用铜箔。

16.根据权利要求15所述的带载体的铜箔，其中，在所述载体的一面依次具有所述中间层、所述极薄铜层，且在所述载体的另一面具有粗化处理层。

17.一种带载体的铜箔，其是在载体的一面或两面依次具有中间层、极薄铜层的带载体的铜箔，所述极薄铜层比所述载体薄，所述极薄铜层为权利要求11所述的高频电路用铜箔。

18.一种带载体的铜箔，其是在载体的一面或两面依次具有中间层、极薄铜层的带载体的铜箔，所述极薄铜层比所述载体薄，所述极薄铜层为权利要求12所述的高频电路用铜箔。

19.一种带载体的铜箔，其是在载体的一面或两面依次具有中间层、极薄铜层的带载体的铜箔，所述极薄铜层比所述载体薄，所述极薄铜层为权利要求13所述的高频电路用铜箔。