[发明专利]磁性存储装置及方法有效

专利信息
申请号: 201410172835.5 申请日: 2014-04-25
公开(公告)号: CN105097007B 公开(公告)日: 2017-11-17
发明(设计)人: 傅雅蓉;张树杰;赵俊峰;杨伟;林殷茵;杨凯 申请(专利权)人: 华为技术有限公司;复旦大学
主分类号: G11C11/02 分类号: G11C11/02
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 刘芳
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 磁性 存储 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种磁性存储装置,其特征在于,包括:

包含至少一个磁畴区的磁性存储轨道,用于存储写入的磁畴;

第一写装置,用于在所述磁畴区写入磁畴;

第二写装置,用于在所述磁畴区写入与所述第一写装置写入方向垂直的磁畴;

脉冲电源,用于提供脉冲电流或脉冲场,驱动所述磁性存储轨道上的磁畴区的磁畴壁沿所述磁性存储轨道移动。

2.根据权利要求1所述的磁性存储装置,其特征在于,所述磁性存储轨道为U型磁性存储轨道;所述第一写装置设置在所述U型磁性存储轨道的底部轨道下方,与所述底部轨道上一所述磁畴区形成漏磁场;所述第二写装置垂直设置在所述第一写装置下方,与所述底部轨道上一所述磁畴区形成漏磁场。

3.根据权利要求2所述的磁性存储装置,其特征在于,

所述第一写装置与所述U型磁性存储轨道的底部轨道垂直设置,所述第二写装置与所述第一写装置垂直设置。

4.根据权利要求2所述的磁性存储装置,其特征在于,

所述第一写装置与所述U型磁性存储轨道的底部轨道平行设置,所述第二写装置与所述第一写装置垂直设置。

5.根据权利要求1或2所述的磁性存储装置,其特征在于,

所述第二写装置上形成有一向所述磁性存储轨道方向的凸起,所述凸起用于使得所述第二写装置的漏磁场在所述磁畴区上覆盖范围减少,磁场强度增大。

6.一种磁性存储方法,其特征在于,包括:

在磁性存储轨道上的磁畴区内写入一方向的磁畴;

对所述磁性存储轨道施加脉冲,使所述磁性存储轨道上的磁畴壁移动,使下一次的目标写入磁畴移动至上一次目标写入磁畴的位置;

在所述磁性存储轨道上的磁畴区内写入与所述方向垂直方向的磁畴。

7.根据权利要求6所述的磁性存储方法,其特征在于,

所述磁性存储轨道为U型磁性存储轨道;

所述在所述磁性存储轨道上的磁畴区内写入一方向的磁畴包括:

在所述U型磁性存储轨道的底部轨道上的磁畴区写入与所述底部轨道垂直方向的磁畴;

所述在所述磁畴区内写入与所述方向垂直方向的磁畴包括:

在所述U型磁性存储轨道的底部轨道上的磁畴区写入与所述底部轨道平行方向的磁畴。

8.根据权利要求6所述的磁性存储方法,其特征在于,

所述磁性存储轨道为U型磁性存储轨道;

所述在磁性存储轨道上的磁畴区内写入一方向的磁畴包括:

在所述U型磁性存储轨道的底部轨道上的磁畴区写入与所述底部轨道平行方向的磁畴;

所述在所述磁畴区内写入与所述方向垂直方向的磁畴包括:

在所述U型磁性存储轨道的底部轨道上的磁畴区写入与所述底部轨道垂直方向的磁畴。

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