[发明专利]磁性存储装置及方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及存储技术，尤其涉及一种磁性存储装置及方法。

背景技术

磁性存储方法是通过在磁畴区写入磁畴来记录信息的。在磁畴中，磁矩的取向是一致的，磁畴的大小和磁化方向与磁化的方向能够通过控制磁性材料的属性、形状和大小以及外部能量而被适当地控制。磁畴壁是每个具有不同磁化方向的相邻磁畴之间的边界，并且能够通过施加到该磁性材料上的电流或磁场被移动。

将磁畴壁的移动原理应用到磁性存储装置时，可以通过磁畴壁的移动或传播可控的方式移动磁畴以穿过固定的写头，这样不旋转记录介质也可以实现写数据。但是，随着大数据时代的到来，在现有的存储数据基础上提高磁性存储的存储量成为亟待解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种磁性存储装置及方法，能够实现多级存储，提高磁性存储装置的存储量。

第一方面，本发明实施例提供一种磁性存储装置，包括：

包含至少一个磁畴区的磁性存储轨道，用于存储写入的磁畴；

第一写装置，用于在所述磁畴区写入磁畴；

第二写装置，用于在所述磁畴区写入与所述第一写装置写入方向垂直的磁畴。

在第一种可能的实现方式中，根据第一方面，所述磁性存储轨道为U型磁性存储轨道；所述第一写装置设置在所述U型磁性存储轨道的底部轨道下方，与所述底部轨道上一所述磁畴区形成漏磁场；所述第二写装置垂直设置在所述第一写装置下方，与所述底部轨道上一所述磁畴区形成漏磁场。

在第二种可能的实现方式中，结合第一方面和第一种可能的实现方式，

所述第一写装置与所述U型磁性存储轨道的底部轨道垂直设置，所述第二写装置与所述第一写装置垂直设置。

在第三种可能的实现方式中，结合第一方面、第一种可能的实现方式和第二种可能的实现方式。

所述第二写装置上形成有一向所述磁性存储轨道方向的凸起，所述凸起用于使得所述第二写装置的漏磁场在所述磁畴区上覆盖范围减少，磁场强度增大。

第二方面，本发明实施例提供一种磁性存储方法，包括：

在磁性存储轨道上的磁畴区内写入一方向的磁畴；

在所述磁性存储轨道上的磁畴区内写入与所述方向垂直方向的磁畴。

在第一种可能的实现方式中，根据第一方面，所述磁性存储轨道为U型磁性存储轨道；

所述在所述磁性存储轨道上的磁畴区内写入一方向的磁畴包括：

在所述U型磁性存储轨道的底部轨道上的磁畴区写入与所述底部轨道垂直方向的磁畴；

所述在所述磁畴区内写入与所述方向垂直方向的磁畴包括：

在所述U型磁性存储轨道的底部轨道上的磁畴区写入与所述底部轨道平行方向的磁畴。

本发明实施例提供的磁性存储装置及方法，磁性存储装置包括：包含至少一个磁畴区的磁性存储轨道，用于存储写入的磁畴；第一写装置，用于在磁畴区写入磁畴；第二写装置，用于在磁畴区写入与第一写装置写入方向垂直的磁畴。这样一来，第一写装置和第二写装置可向磁性存储轨道的任一磁畴区写入四个不同方向的磁畴，实现多级存储，从而提高磁性存储装置的存储量。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的磁性存储装置结构示意图；

图2为本发明实施例提供的磁性存储装置局部结构示意图；

图3a为本发明实施例提供的另一磁性存储装置局部结构示意图；

图3b为本发明实施例提供的又一磁性存储装置局部结构示意图；

图4为本发明实施例提供的磁性存储方法的流程示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1为本发明实施例提供的磁性存储装置结构示意图，如图1所示，该磁性存储装置100包括：磁性存储轨道1、第一写装置2、第二写装置3和读装置5，其中，磁性存储轨道1是由多个磁畴区4组成的。