[发明专利]高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷，化学式为(Bi_1.5Zn_0.1Sr_0.4)(Zn_0.5Nb_1.5)O₇，x＝0；

该高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷的制备方法，具有如下步骤：

(1)将原料Bi₂O₃、Nb₂O₅、SrCO₃和ZnO按(Bi_1.5Zn_0.1Sr_0.4)(Zn_0.5Nb_1.5)O₇的化学计量比称量配料；

(2)将步骤(1)配制的粉料放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨4小时；将球磨后的原料置于红外干燥箱中烘干，烘干后过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；

(3)将步骤(2)处理后的粉料于750℃煅烧，保温4小时，合成主晶相；

(4)在步骤(3)煅烧处理后的粉料中外加质量百分比为0.75％的聚乙烯醇，放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨12小时，烘干后过80目筛，再用粉末压片机以2MPa的压力压成坯体；

(5)将步骤(4)成型后的坯体于925～1000℃烧结，保温4小时，制成高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷；

(6)测试制品的高频介电性能。

2.根据权利要求1所述的高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(2)与步骤(4)的烘干温度为100℃。

3.根据权利要求1所述的高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(2)与步骤(4)的陶瓷粉体与氧化锆球、去离子水的质量比为1∶1∶2。

4.根据权利要求1所述的高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(4)的坯体为Φ10mm×1mm的圆片。

5.根据权利要求1所述的高介电常数温度稳定型高频介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(5)的烧结温度为975℃，保温时间为4h。