[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有层间介电层，在所述层间介电层中形成有第一金属电极；

形成用于填充底部电极的通孔，所述通孔露出部分所述第一金属电极的上表面；

形成完全填充所述通孔的第一底部电极材料层；

实施回蚀刻，以在所述第一底部电极材料层的顶部形成用于填充第二底部电极材料层的凹槽；

在所述凹槽中形成第二底部电极材料层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一底部电极材料层的材料为钨，所述第二底部电极材料层的材料为锗硅或者掺杂有杂质的锗硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述第一底部电极材料层，采用等离子增强化学气相沉积工艺形成所述第二底部电极材料层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，实施所述原子层沉积之后，还包括执行化学机械研磨的步骤，实施所述研磨之后，所述第一底部电极材料层的高度等于所述通孔的深度。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，实施所述等离子增强化学气相沉积之后，还包括执行另一化学机械研磨的步骤，实施所述另一化学机械研磨之后，所述第二底部电极材料层的高度等于所述凹槽的深度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第二底部电极材料层之后，还包括沉积形成相变材料层的步骤，使所述第二底部电极材料层的顶部接触所述相变材料层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述相变材料层之后，还包括在所述相变材料层上形成第二金属电极的步骤。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为相变存储器，所述第一金属电极的下端连通形成于所述半导体衬底上的电子元件，所述第一金属电极的上端连通所述第一底部电极材料层的底部，所述第一底部电极材料层和所述第二底部电极材料层共同构成所述相变存储器的底部电极。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通孔位于形成于所述层间介电层上的硬掩膜叠层结构中或者位于形成于所述层间介电层上的另一层间介电层中。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜叠层结构包括自下而上层叠的缓冲层、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层。

11.一种采用如权利要求1-10中的任一方法形成的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件中的底部电极由自下而上层叠的第一底部电极材料层和第二底部电极材料层构成。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一底部电极材料层的材料为钨，所述第二底部电极材料层的材料为锗硅或者掺杂有杂质的锗硅。