[发明专利]高分散纳米二氧化硅的制备方法在审
| 申请号： | 201410175779.0 | 申请日： | 2014-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN104058415A | 公开（公告）日： | 2014-09-24 |
| 发明（设计）人： | 王玉军;骆广生;张田 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 哈达 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分散 纳米 二氧化硅 制备 方法 | ||
1.一种纳米二氧化硅的制备方法，其包括以下步骤：
S1：提供一硅酸盐溶液，该硅酸盐溶液中含有表面活性剂；
S2：提供一微孔膜，使上述硅酸盐溶液沿微孔膜的表面流动；
S3：提供一酸性溶液，使酸性溶液穿过所述微孔膜直接加入至流动的硅酸盐溶液中，发生反应生成二氧化硅沉淀；以及
S4：处理该二氧化硅沉淀得到高分散的纳米二氧化硅。
2.如权利要求1所述的高分散纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述硅酸盐溶液为硅酸钠的水溶液，其浓度为0.1-2 摩尔/升。
3.如权利要求2所述的高分散纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述硅酸盐溶液的流速为0.5-15 米/秒。
4.如权利要求1所述的高分散纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述酸性溶液为硫酸溶液，其浓度为0.2-2 摩尔/升。
5.如权利要求4所述的高分散纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述硫酸溶液的流速为1-10 米/秒。
6.如权利要求1所述的高分散纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述微孔膜的微孔当量直径为0.5-1000微米。
7.根据权利要求1所述的高分散纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述酸性溶液加入硅酸盐溶液的方向垂直于硅酸盐溶液的流动方向。
8.根据权利要求1所述的高分散纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂为羧甲基纤维素钠，其质量为硅酸盐质量的0.02-5 %。
9.如权利要求1所述的高分散纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述处理二氧化硅沉淀的步骤包括老化、过滤、洗涤、干燥和粉碎。
10.如权利要求1所述的高分散纳米二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述高分散的纳米二氧化硅颗粒的粒径为10～35纳米，比表面积为80～300平方米/克。
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