[发明专利]一种基于多顶栅结构的晶体管

权利要求书

1.一种基于多顶栅结构的晶体管，包括基底(1)和处在基底(1)上的介质层(3)，所述介质层(3)上设有一源区(5)、一漏区(6)、连在所述源区(5)和漏区(6)之间的沟道区(7)以及多个顶栅，其特征在于，所述的源区(5)、漏区(6)、沟道区(7)和顶栅的下表面共面，所述顶栅中至少有2个顶栅和沟道区(7)相连，其中一个作为输出极，其余均作为输入极；

所述与沟道区(7)连接的顶栅分别位于沟道区(7)的同侧或两侧；

所述的沟道区的长度为0.001～5000μm，沟道区的宽度为0.0001～1000μm，沟道区的电学厚度为0.001～8000nm；

所述的源区和漏区与作为输出极的第一顶栅的最小横向距离均为0.0001～100μm；所述的源区或漏区与沟道外顶栅的最小横向距离为0.0001～100μm。

2.如权利要求1所述的基于多顶栅结构的晶体管，其特征在于，所述顶栅为两个，或两个以上，且均与所述沟道区(7)相连。

3.如权利要求1所述的基于多顶栅结构的晶体管，其特征在于，所述顶栅为两个以上，至少有一个顶栅与所述沟道区(7)不相连。

4.如权利要求1所述的基于多顶栅结构的晶体管，其特征在于，所述顶栅为四个，分别为第一顶栅(4a)、第二顶栅(4b)、第三顶栅(4c)和第四顶栅(4d)，第一顶栅(4a)、第二顶栅(4b)和第三顶栅(4c)均与所述沟道区(7)相连，第四顶栅(4d)与沟道区(7)不相连。

5.如权利要求1所述的基于多顶栅结构的晶体管，其特征在于，所述顶栅为四个，分别为第一顶栅(4a)、第二顶栅(4b)、第三顶栅(4c)和第四顶栅(4d)，第一顶栅(4a)和第二顶栅(4b)与所述沟道区(7)相连，第三顶栅(4c)和第四顶栅(4d)与沟道区(7)不相连。

6.如权利要求5所述的基于多顶栅结构的晶体管，其特征在于，所述顶栅为四个，分别为第一顶栅(4a)、第二顶栅(4b)、第三顶栅(4c)和第四顶栅(4d)，第一顶栅(4a)和第二顶栅(4b)与所述沟道区(7)相连，第三顶栅(4c)和第四顶栅(4d)与沟道区(7)不相连，且第三顶栅(4c)和第四顶栅(4d)排列成第三直线，第三直线与由源区(5)、沟道区(7)和漏区(6)排列成的第一直线平行或相交或重合。

7.如权利要求1所述的基于多顶栅结构的晶体管，其特征在于，所述顶栅为三个，分别为第一顶栅(4a)、第二顶栅(4b)和第三顶栅(4c)，其中第一顶栅(4a)和第二顶栅(4b)与所述沟道区(7)相连，第三顶栅(4c)与沟道区(7)不相连。

8.如权利要求2～7中任一权利要求所述的基于多顶栅结构的晶体管，其特征在于，对应沟道区的下方位置还设有至少一个底栅(2)作为输入极，所述底栅位于介质层相对于沟道的另一面。

9.如权利要求8所述的基于多顶栅结构的晶体管，其特征在于，所述基底(1)和介质层(3)之间设有导电层，且该导电层处在所述沟道区(7)的下部或者旁边。