[发明专利]一种氟钽酸钾中硅含量的测定方法有效
申请号: | 201410177723.9 | 申请日: | 2014-04-29 |
公开(公告)号: | CN103940807A | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 黄双;曾国忠;周丽 | 申请(专利权)人: | 从化钽铌冶炼厂 |
主分类号: | G01N21/73 | 分类号: | G01N21/73;G01N1/38 |
代理公司: | 东莞市中正知识产权事务所 44231 | 代理人: | 张汉青 |
地址: | 510900 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氟钽酸钾中硅 含量 测定 方法 | ||
1.一种氟钽酸钾中硅含量的测定方法,其特征在于:该测定方法是采用ICP光谱仪,并采用耐氢氟酸进样系统;选用提纯后的电子级硝酸和氢氟酸;调整ICP光谱仪矩管的中心管、内管的高度使火焰底部与ICP光谱仪矩管的石英外管的距离比标准距离增加约50%;且每次测定与下次测定之间选用表面活性剂Triton-X100配制的溶液作为洗液,对ICP光谱仪的进样系统进行清洗。
2.根据权利要求1所述的一种氟钽酸钾中硅含量的测定方法,其特征在于:该测定方法中,ICP光谱仪的工作参数为:等离子体发生器功率1200W、冷却气流量14L/min、载气流量0.3L/min、雾化器流量0.69L/min、雾化压力2.88bars,分析线波长251.611nm。
3.根据权利要求1或2所述的一种氟钽酸钾中硅含量的测定方法,其特征在于:其具体步骤为:
步骤一,试剂提纯及ICP光谱仪调节:经提纯法提纯出电子级硝酸,经提纯法提纯出电子级氢氟酸;按所述工作参数设定ICP光谱仪,并调节ICP光谱仪矩管的中心管、内管的高度,使火焰底部与ICP光谱仪矩管的石英外管的距离比标准距离增加约50%;
步骤二,标准曲线绘制及空白实验:分别称取4组0.2000g硅含量为0.0005%的氟钽酸钾标准样品,分别加入1.5mL提纯后的电子级硝酸、0.5mL提纯后的电子级氢氟酸和8mL纯水,加热溶解,冷却至常温,然后选其中三组分别加入10μg/mL的硅标准溶液0.1mL、10μg/mL的硅标准溶液1.0mL、100μg/mL的硅标准溶液1.0mL,定容至20mL,依次将4组标准样品从耐氢氟酸进样系统引入ICP光谱仪进行测定,分别记录测定的标准样品强度值,并以测定的标准样品强度值为纵坐标,以试液中Si的含量(μg/g)为横坐标绘制标准曲线;
随同做空白试验,即在不加样品的情况下,用ICP光谱仪测定空白溶液,得到空白强度值,以该空白强度值在标准曲线上查出对应的Si含量,即为空白值;
每组测定之间用表面活性剂Triton-X100配制的溶液对ICP光谱仪的进样系统进行清洗;
步骤三:空白试验完成后用表面活性剂Triton-X100配制的溶液对ICP光谱仪的进样系统进行清洗;
步骤四:称取待测定样品0.2000g,依次加入1.5mL提纯后的电子级硝酸、0.5mL提纯后的电子级氢氟酸和8mL纯水,加热溶解后定容至20mL,最后将样品液体从耐氢氟酸进样系统引入进行测定,得到对应的样品溶液强度值,用样品溶液强度值在标准曲线上查出对应的Si含量,减去空白值,即为样品中Si含量(μg/g),并可转换成样品中硅的百分含量。
4.根据权利要求3所述的一种氟钽酸钾中硅含量的测定方法,其特征在于:所述表面活性剂Triton-X100配制的溶液的浓度为4%。
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